Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Suvanam, S"'
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 July 2019 450:262-266
Autor:
Suvanam, S. S., Gulbinas, K., Usman, M., Linnarson, M. K., Martin, D. M., Linnros, J., Grivickas, V., Hallén, A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 117 Issue 10, p105309-1-105309-9, 9p, 1 Diagram, 2 Charts, 10 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Dec2016, Vol. 13 Issue 10-12, p921-926, 6p
Autor:
Chulapakorn, T., Sychugov, I., Suvanam, S. S., Linnros, J., Wolff, M., Primetzhofer, D., Possnert, G., Hallén, A.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Dec2015, Vol. 12 Issue 12, p1301-1305, 5p
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science & Engineering; 2014, Vol. 56 Issue 1, p012007-012014, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Suvanam, Sethu Saveda
Advances in space and nuclear technologies are limited by the capabilities of the conventional silicon (Si) electronics. Hence, there is a need to explore materials beyond Si with enhanced properties to operate in extreme environments. In this regard
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-199907
Autor:
Suvanam, Sethu Saveda
This project aims at establishing a new method to characterize the interface between 4H-SiC and passivating dielectric layers. The investigations are made on metal-oxide-semiconductor (MOS) test structures. The oxides are made of Al2O3, deposited by
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-53601