Zobrazeno 1 - 10
of 129
pro vyhledávání: '"Sutton, Akil. K."'
Autor:
Sutton, Akil. K., Moen, Kurt, Cressler, John D., Carts, Martin A., Marshall, Paul W., Pellish, Jonathan A., Ramachandran, Vishwa, Reed, Robert A., Alles, Michael L., Niu, Guofu
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2008 52(10):1652-1659
Autor:
Chen, Tianbing, Sutton, Akil K., Haugerud, Becca M., Henderson, Walter, Gnana Prakash, A.P., Cressler, John D., Doolittle, Alan, Liu, Xuefeng, Joseph, Alvin, Marshall, Paul W.
Publikováno v:
In Solid State Electronics July-August 2006 50(7-8):1194-1200
Autor:
Haugerud, Becca M., Pratapgarhwala, Mustansir M., Comeau, Jonathan P., Sutton, Akil K., Prakash, A.P. Gnana, Cressler, John D., Marshall, Paul W., Marshall, Cheryl J., Ladbury, Ray L., El-Diwany, Monir, Mitchell, Courtney, Rockett, Leonard, Bach, Tuyet, Lawrence, Reed, Haddad, Nadim
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2006 50(2):181-190
Autor:
Phillips, Stanley D., Sutton, Akil K., Appaswamy, Aravind, Bellini, Marco, Cressler, John D., Grillo, Alex, Vizkelethy, Gyorgy, Dodd, Paul, McCurdy, Mike, Reed, Robert, Marshall, Paul
n/a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::46738746679f975302225c2f2eda8c29
https://zenodo.org/record/1273816
https://zenodo.org/record/1273816
Autor:
Sutton, Akil K.
A summary of total dose effects observe in advanced Silicon Germanium (SiGe) Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) is presented in this work. The principal driving froces behin the increased use of SiGe BiCMOS technology in space based electronic
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/7217
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bongim Jun1 bongim.jun@boeing.com, Sutton, Akil K.2, Diestelhorst, Ryan M.3, Duperon, Gregory J.3, Cressler, John D.3, Black, Jeffrey D.4, Haeffner, Tim4, Reed, Robert A.4, Alles, Michael L.4, Schrimpf, Ronald D.4, Fleetwood, Daniel M.4, Marshall, Paul W.5
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. Dec2007 Part 1 of 2, Vol. 54 Issue 6, p2100-2105. 6p. 2 Diagrams, 1 Chart, 12 Graphs.