Zobrazeno 1 - 10
of 299
pro vyhledávání: '"Sutter, Eli"'
Publikováno v:
Nano Lett. 22, 4, 1497-1503 (2022)
In recent years, novel materials supporting in-plane anisotropic polaritons have attracted a lot of research interest due to their capability of shaping nanoscale field distributions and controlling nanophotonic energy flows. Here we report a nano-op
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2301.11381
Autor:
Huang, Yuan, Pan, Yu-Hao, Yang, Rong, Bao, Li-Hong, Meng, Lei, Luo, Hai-Lan, Cai, Yong-Qing, Liu, Guo-Dong, Zhao, Wen-Juan, Zhou, Zhang, Wu, Liang-Mei, Zhu, Zhi-Li, Huang, Ming, Liu, Li-Wei, Liu, Lei, Cheng, Peng, Wu, Ke-Hui, Tian, Shi-Bing, Gu, Chang-Zhi, Shi, You-Guo, Guo, Yan-Feng, Cheng, Zhi Gang, Hu, Jiang-Ping, Zhao, Lin, Sutter, Eli, Sutter, Peter, Wang, Ye-Liang, Ji, Wei, Zhou, Xing-Jiang, Gao, Hong-Jun
Two-dimensional (2D) materials provide extraordinary opportunities for exploring phenomena arising in atomically thin crystals. Beginning with the first isolation of graphene, mechanical exfoliation has been a key to provide high-quality 2D materials
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.05025
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Layered semiconductors show promise as channel materials for field-effect transistors (FETs). Usually, such devices incorporate solid back or top gate dielectrics. Here, we explore de-ionized (DI) water as a solution top gate for field-effect switchi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.11112
Publikováno v:
Journal of the American Chemical Society; 11/20/2024, Vol. 146 Issue 46, p31961-31968, 8p
Publikováno v:
In Journal of Colloid And Interface Science 15 March 2021 586:847-854
Autor:
Huang, Yuan, Zang, Huidong, Chen, Jia-Shiang, Sutter, Eli A., Sutter, Peter W., Nam, Chang-Yong, Cotlet, Mircea
We report an improved photosensitivity in few-layer tin disulfide (SnS2) field-effect transistors (FETs) following doping with CdSe/ZnS core/shell quantum dots (QDs). The hybrid QD-SnS2 FET devices achieve more than 500 percent increase in the photoc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.04646