Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Surrugue, M."'
Autor:
Cordier, Y. *, Semond, F., Lorenzini, P., Grandjean, N., Natali, F., Damilano, B., Massies, J., Hoël, V., Minko, A., Vellas, N., Gaquière, C., DeJaeger, J.C., Dessertene, B., Cassette, S., Surrugue, M., Adam, D., Grattepain, J-C., Aubry, R., Delage, S.L.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2003 251(1):811-815
Autor:
Cordier, Y., Semond, F., Lorenzini, P., Grandjean, N., Natali, F., Damilano, B., Massies, J., Hoël, V., Minko, A., Vellas, N., Gaquière, C., DeJaeger, J.C., Dessertene, B., Cassette, S., Surrugue, M., Adam, D., Grattepain, J.-C., Delage, S.L.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); 2003, Vol. 0 Issue 1, p61-64, 4p
Autor:
Cordier, Y., Semond, F., Lorenzini, P., Grandjean, N., Natali, F., Damilano, B., Massies, J., Hoel, V., Minko, A., Vellas, N., Gaquiere, C., DeJaeger, J.C., Dessertene, B., Cassette, S., Surrugue, M., Adam, D., Grattepain, J.-C., Delage, S.L.
Publikováno v:
International Conference on Molecular Bean Epitaxy; 2002, p99-100, 2p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cordier, Y., Semond, F., Massies, J., Dessertene, B., Cassette, S., Surrugue, M., Adam, D., Delage, S.L.
Publikováno v:
Electronics Letters (Institution of Engineering & Technology); 01/17/2002, Vol. 38 Issue 2, p91-92, 2p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Paz-Martínez, Gaudencio1 (AUTHOR) gaupaz@usal.es, Íñiguez-de-la-Torre, Ignacio1 (AUTHOR) hectorsanchezmartin@usal.es, Sánchez-Martín, Héctor1 (AUTHOR) joseantonionolo@usal.es, Novoa-López, José Antonio1 (AUTHOR) javierm@usal.es, Hoel, Virginie2 (AUTHOR) virginie.hoel@univ-lille.fr, Cordier, Yvon3 (AUTHOR) yvon.cordier@crhea.cnrs.fr, Mateos, Javier1 (AUTHOR) tomasg@usal.es, González, Tomás1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Sensors (14248220). Feb2022, Vol. 22 Issue 4, pN.PAG-N.PAG. 1p.
Autor:
Gassoumi, Moujahed, Helali, Abdelhamid, Gassoumi, Malek, Gaquiere, Christophe, Maaref, Hassen
Publikováno v:
SILICON (1876990X); Feb2019, Vol. 11 Issue 1, p557-562, 6p
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Nov2014, Vol. 29 Issue 11, p1-1, 1p
Autor:
Hongyu Yu, Tianli Duan
GaN is considered the most promising material candidate in next-generation power device applications, owing to its unique material properties, for example, bandgap, high breakdown field, and high electron mobility. Therefore, GaN power device technol
