Zobrazeno 1 - 10
of 110
pro vyhledávání: '"Suriano F"'
Autor:
Cerofolini, G. F., Ferri, M., Romano, E., Roncaglia, A., Selezneva, E., Arcari, A., Suriano, F., Veronese, G. P., Solmi, S., Narducci, D.
Publikováno v:
Proceedings of the 8th European Conference on Thermoelectrics, Como, 2010, p. 147-151
The observation that the thermal conductivity of single-crystalline silicon nanowires with diameter on the length scale of 25 nm is lower than that of bulk material by two orders of magnitude has attracted the interest onto silicon as a potentially e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1011.4700
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(6):877-881
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2009 18(5):963-966
Autor:
Narducci, D, Lorenzi, B., Zianni, X., Neophytou, N., Frabboni, Stefano, Gazzadi, Gc, Roncaglia, A., Suriano, F.
Publikováno v:
Physica status solidi. A, Applications and materials science (Internet) 211 (2014): 1255–1258. doi:10.1002/pssa.201300130
info:cnr-pdr/source/autori:Narducci D.[ 1 ]; Lorenzi B.[ 1 ] ; Zianni X.[ 2,3 ]; Neophytou N.[ 5,4 ]; Frabboni S.[ 6,7 ]; Gazzadi G.C.[ 7 ]; Roncaglia A.[ 8 ] ; Suriano F.[ 8 ]/titolo:Enhancement of the power factor in two-phase silicon-boron nanocrystalline alloys/doi:10.1002%2Fpssa.201300130/rivista:Physica status solidi. A, Applications and materials science (Internet)/anno:2014/pagina_da:1255/pagina_a:1258/intervallo_pagine:1255–1258/volume:211
info:cnr-pdr/source/autori:Narducci D.[ 1 ]; Lorenzi B.[ 1 ] ; Zianni X.[ 2,3 ]; Neophytou N.[ 5,4 ]; Frabboni S.[ 6,7 ]; Gazzadi G.C.[ 7 ]; Roncaglia A.[ 8 ] ; Suriano F.[ 8 ]/titolo:Enhancement of the power factor in two-phase silicon-boron nanocrystalline alloys/doi:10.1002%2Fpssa.201300130/rivista:Physica status solidi. A, Applications and materials science (Internet)/anno:2014/pagina_da:1255/pagina_a:1258/intervallo_pagine:1255–1258/volume:211
In previous publications it was shown that the precipitation of silicon boride around grain boundaries may lead to an increase of the power factor in nanocrystalline silicon. Such an effect was further explained by computational analyses showing that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ef4f9eefe8d34f42a17f7680c42fda72
http://hdl.handle.net/10281/51643
http://hdl.handle.net/10281/51643
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
In this paper, we report results on a field-effect-induced light modulation at λ = 1.55 μm in a high-index-contrast waveguide based on a multisilicon-on-insulator platform. The device is realized with the hydrogenated amorphous silicon (α -Si:H) t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3730::b32e849b81ccf6fb2e59baeb517101fe
http://hdl.handle.net/11588/849652
http://hdl.handle.net/11588/849652