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Dissertation/ Thesis

Conception et réalisation de composants de puissance à superjonction et à tranchées profondes pour des applications 600 V et 1200 V

Autor: Noblecourt, Sylvain

Dans une première partie, les travaux de thèse se sont focalisés sur la conception et l'optimisation de composants à superjonction et à tranchées profondes dans les gammes de 600V et 1200V. L'objectif est d'obtenir le meilleur compromis tenue e

Externí odkaz: http://www.theses.fr/2016TOU30230/document

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Conception and realization of power devices based on superjonction and deep trenches 600 V and 1200 V applications

Autor: Noblecourt, Sylvain

Publikováno v: Electronique. Université Paul Sabatier-Toulouse III, 2016. Français. ⟨NNT : 2016TOU30230⟩

New technological ways allowing the realization of deep trench Superjunction devices (diodes or MOS transistors) with a deep trench termination are investigated. The aim of this work is to propose an alternative to conventional MOSFETs in high voltag

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4074::72e98f41c25a48d1edc8353444626a4c
https://hal.laas.fr/tel-01451021v2/file/2016TOU30230B.pdf

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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Autor: Noblecourt, Sylvain, Tasselli, Josiane, Morancho, Frédéric, Isoird, Karine, Austin, Patrick, Dubreuil, Pascal, Lecestre, Aurélie

Publikováno v: Symposium de Génie Electrique 2014
Symposium de Génie Electrique 2014, Jul 2014, Cachan, France
European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩

International audience; The purpose of this paper is to present the Deep Trench SuperJunction Diode (DT-SJDiode) optimization and realization with a 600V breakdown voltage. We present technological and geometrical parameters influences on the breakdo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f2e79d4ded106246446edcd55f54926f
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01102974

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Optimisation de la diode à Superjonction à tranchées profondes pour des applications à 600V

Autor: Patrick Austin, Sylvain Noblecourt, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Aurélie Lecestre, Pascal Dubreuil, Frédéric Morancho

Publikováno v: European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2014, 17 (5-6), pp.345-361. ⟨10.3166/ejee.17.345-361⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩
European Journal of Electrical Engineering, 2015, ⟨10.3166/EJEE.17.345-361⟩

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7d0e9b26aae66e283033a73dffb0b1bc
https://hal.laas.fr/hal-01955633

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Conception de transistors MOS haute tension (1 200 volts) pour l'électronique de puissance

Autor: Loïc Théolier, Hicham Mafoz Kobt, Karine Izoird, Frédéric Morancho

Publikováno v: European Journal of Electrical Engineering
European Journal of Electrical Engineering, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩
European Journal of Electrical Engineering, Lavoisier, 2010, 13 (2), pp.227-252. ⟨10.3166/ejee.13.227-252⟩

Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyes pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapes par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b4c6952b07aa05c2de6e217c6ad5600e
https://hal.science/hal-00991584/document

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Dissertation/ Thesis

Conception de transistor MOS haute tension (1200 volts) pour l'électronique de puissance

Autor: Theolier, Loïc

Les composants actifs des convertisseurs de puissance empoyés pour la traction ferroviaire 1200 volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapés par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors M

Externí odkaz: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00377784
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/37/77/84/PDF/These-Loic-Theolier.pdf

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