Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Sundar Vignesh"'
Publikováno v:
Phys. Rev. B 94, 060401 (2016)
Topologically protected magnetic structures such as skyrmions and domain walls (DWs) have drawn a great deal of attention recently due to their thermal stability and potential for manipulation by spin current, which is the result of chiral magnetic c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1604.02999
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/21/2015, Vol. 118 Issue 7, p074301-1-074301-10, 10p, 2 Diagrams, 1 Chart, 7 Graphs
Publikováno v:
2017 International Conference on Energy, Communication, Data Analytics and Soft Computing (ICECDS).
In this work, we develop a platform that would consider people's activities in social media, and display results. This is done by grouping together like-minded people in a series of interactive data visualizations that will allow trends to be found.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4fb1f3b854904947617703a81f4c53f
https://doi.org/10.1109/icecds.2017.8390111
https://doi.org/10.1109/icecds.2017.8390111
Autor:
Huanlong Liu, Ru-Ying Tong, Sundar Vignesh, Terry Torng, Vinh Lam, Jesmin Haq, Shen Dongna, Mohammed Benzaouia, Jodi Iwata-Harms, P. Liu, Renren He, A. Wang, Y. Yang, Po-Kang Wang, Guenole Jan, Y. Lee, Jian Zhu, T. Zhong, J. Teng, Luc Thomas, Son Thai Le, Sahil Patel, Santiago Serrano-Guisan
Publikováno v:
2017 IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG).
Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memories (STT-MRAM) are based on Magnetic Tunnel Junctions (MTJs) made out of two ferromagnetic electrodes separated by a MgO tunnel barrier.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f1c8d8e6c6918caee1a908bd917d0e8
https://doi.org/10.1109/intmag.2017.8007621
https://doi.org/10.1109/intmag.2017.8007621
Autor:
Guenole Jan, Jesmin Haq, Luc Thomas, Son Thai Le, T. Zhong, Vinh Lam, Ru-Ying Tong, A. Wang, Po-Kang Wang, Huanlong Liu, Santiago Serrano-Guisan, Sundar Vignesh, Sahil Patel, P. Liu, Renren He, Jodi Iwata-Harms, Y. Lee, Y. Yang, J. Teng, Shen Dongna, Terry Torng, Jian Zhu
Publikováno v:
2017 IEEE International Magnetics Conference (INTERMAG).
Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) is the leading technology for next generation non-volatile embedded memories [1].
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1d1311aa5a8a60ae8ae3f02b811ca94
https://doi.org/10.1109/intmag.2017.8007703
https://doi.org/10.1109/intmag.2017.8007703
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.