Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"Sun, Nian Xiang"'
Autor:
Bhattacharjee, Nirjhar, Mahalingam, Krishnamurthy, Will-Cole, Alexandria, Wei, Yuyi, Fedorko, Adrian, Bowers, Cynthia T., Page, Michael, McConney, Michael, Heiman, Don, Sun, Nian Xiang
Publikováno v:
Adv. Mater. vol 34, 15, 2022, 2108790
Combining topological insulators (TIs) and magnetic materials in heterostructures is crucial for advancing spin-based electronics. Magnetic insulators (MIs) can be deposited on TIs using the spin-spray process, which is a unique non-vacuum, low-tempe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.00499
Autor:
Bhattacharjee, Nirjhar, Mahalingam, Krishnamurthy, Fedorko, Adrian, Will-Cole, Alexandria, Ryu, Jaehyeon, Page, Michael, McConney, Michael, Fang, Hui, Heiman, Don, Sun, Nian Xiang
Publikováno v:
ACS Appl. Electron. Mater. 2022, 4, 9, 4288
Thin films of Topological insulators (TIs) coupled with ferromagnets (FMs) are excellent candidates for energy-efficient spintronics devices. Here, the effect of crystalline structural disorder of TI on interfacial and magnetic properties of sputter-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.09913
Autor:
Bhattacharjee, Nirjhar, Mahalingam, Krishnamurthy, Fedorko, Adrian, Lauter, Valeria, Matzelle, Matthew, Singh, Bahadur, Grutter, Alexander, Will-Cole, Alexandria, Page, Michael, McConney, Michael, Markiewicz, Robert, Bansil, Arun, Heiman, Donald, Sun, Nian Xiang
Publikováno v:
Adv. Mater. 2022, 2108790
Magnetic ordering in topological insulators (TI) is crucial for breaking time-reversal symmetry (TRS) and thereby opening a gap in the topological surface states (TSSs) [1-6], which is the key for realizing useful topological properties such as the q
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.02845
Autor:
Liu, Xin, Lu, Peipei, Wu, Mei, Sun, Yuanwei, Lu, Jingdi, Wang, Jing, Yan, Dayu, Shi, Youguo, Yin, Zhiping, Sun, Nian Xiang, Gao, Peng, Sun, Young, Wang, Fa, Nan, Ce-Wen, Zhang, Jinxing
Large magnetoelectric response in thin films is highly desired for high-throughput and high-density microelectronic applications. However, the d0 rule in single-phase compounds usually results in a weak interaction between ferroelectric and magnetic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.01787
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Functional Materials; 9/25/2024, Vol. 34 Issue 39, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.