Zobrazeno 1 - 10 of 28 pro vyhledávání: '"Sumakeris, J. J."'
1
Akademický článek
Spheroid 3C inclusions in 8° off-axis 4H-SiC epilayers grown by chemical vapor deposition.
Autor: Zhang, X., Li, L., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun2009, Vol. 105 Issue 12, p123529-1-123529-5, 5p, 3 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Glide and multiplication of basal plane dislocations during 4H-SiC homoepitaxy.
Autor: Zhang, X., Skowronski, M., Liu, K. X., Stahlbush, R. E., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2007, Vol. 102 Issue 9, p093520, 8p, 8 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Morphology of basal plane dislocations in 4H-SiC homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition.
Autor: Zhang, X., Ha, S., Hanlumnyang, Y., Chou, C. H., Rodriguez, V., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J., O’Loughlin, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/2007, Vol. 101 Issue 5, p053517-N.Pag, 8p, 9 Diagrams
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Doping-induced strain and relaxation of Al-doped 4H-SiC homoepitaxial layers.
Autor: Huh, S. W., Chung, H. J., Benamara, M., Skowronski, M., Sumakeris, J. J., Paisley, M. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2004, Vol. 96 Issue 8, p4637-4641, 5p, 1 Black and White Photograph, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Silicon Carbide Hot-Wall Epitaxy for Large-Area, High-Voltage Devices.
Autor: O'Loughlin, M. J., Irvine, K. G., Sumakeris, J. J., Armentrout, M. H., Hull, B. A., Hallin, C., Burk, A. A.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2008, Vol. 1069 Issue 1, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Planar Defects in 4H-SiC PiN Diodes.
Autor: Twigg, M. E., Stahlbush, R. E., Irvine, K. G., Sumakeris, J. J., Chow, T. P., Lossee, P. A., Zhu, L.
Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Apr2005, Vol. 34 Issue 4, p351-356, 6p, 8 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Bulk Crystal Growth, Epitaxy, and Defect Reduction in Silicon Carbide Materials for Microwave and Power Devices.
Autor: Sumakeris, J. J., Jenny, J. R., Powell, A. R.
Publikováno v: MRS Bulletin; 2005, Vol. 30 Issue 4, p280-286, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje