Zobrazeno 1 - 10 of 31 pro vyhledávání: '"Sudersena Rao, T."'
2
Akademický článek
Effect of order of stress and field application on the measured flux density in 1% Mn pipeline steel.
Autor: Atherton, David L., Sudersena Rao, T.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1987, Vol. 62 Issue 7, p2914, 4p, 2 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Preparation and characterization of rf sputtered indium tin oxide films.
Autor: Sreenivas, K., Sudersena Rao, T., Mansingh, Abhai, Chandra, Subhash
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1985, Vol. 57 Issue 2, p384, 9p, 11 Black and White Photographs, 1 Chart, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
Application of migration-enhanced epitaxy to novel semiconductor structures.
Autor: Horikoshi, Y., Yamaguchi, H., Sudersena Rao, T., Ramesh, S., Kobayashi, N.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; May1991, Vol. 227 Issue 1, p29-32, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
Non-Volatile Memory Behaviour of Metal - Ferroelectric (BaTiO3Film) - Semiconductor (Si) - MFS Devices.
Autor: Mansingh, A., Sreenivas, K., Sudersena Rao, T.
Publikováno v: Sixth IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics; 1986, p576-579, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Nature and origin of residual impurities in high-purity GaAs and InP grown by chemical beam epitaxy.
Autor: Roth, A. P., Sudersena Rao, T., Benzaquen, R., Lacelle, C., Rolfe, S.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 3, p836-839, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Evaluation of Effective Polarisation Charges and Interface States from High Frequency C-V Hysteresis Measurements.
Autor: Sudersena Rao, T., Mansingh, A.
Publikováno v: Sixth IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics; 1986, p599-601, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Migration-enhanced epitaxial growth of GaAs on Si using (GaAs)1-x(Si2)x/GaAs strained-layer superlattice buffer layers.
Autor: Sudersena Rao, T., Nozawa, K., Horikoshi, Y.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 3, p820-822, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje