Zobrazeno 1 - 10
of 344
pro vyhledávání: '"Subthreshold current"'
Autor:
Peng, Zhaokang a, Sun, Nengyuan a, Cheng, Jiafeng a, Liu, Wenrui a, Wang, Chunyang a, Bi, Yijian a, Sun, Caiban a, Wang, Yufei a, Wen, Yiming a, Wang, Yubin b, Yu, Weize a, ⁎
Publikováno v:
In Integration September 2023 92:83-90
Autor:
Calvin Yi-Ping Chao, Meng-Hsu Wu, Shang-Fu Yeh, Chin-Hao Chang, Chi-Lin Lee, Chin Yin, Kuo-Yu Chou, Honyih Tu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 972-984 (2021)
It is difficult to measure the random telegraph noises (RTN) of MOSFET subthreshold currents at the sub-pA level directly and accurately. In this work, we used a charge integration method similar to the operation of the CMOS image sensors (CIS) to ch
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16be69d937ef4c6a980e1bb88730f4e9
Autor:
Venkatesh, M. ∗, Balamurugan, N.B.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures June 2019 130:485-498
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures November 2017 111:704-713
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures September 2017 109:567-578