Zobrazeno 1 - 10
of 189
pro vyhledávání: '"Substrate doping"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Silicon. 12:1699-1706
This work investigates the performance of the inverted-T (IT) junctionless (JL) FinFET with selective buried oxide (SELBOX) topology. The electrical characteristics of SELBOX-ITJL FinFET are analyzed and compared with the ITJLFinFET. The performance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d19fa440cad040da719f07bf8832e91e
https://doi.org/10.1007/s12633-019-00270-x
https://doi.org/10.1007/s12633-019-00270-x
Publikováno v:
Materials Technology. 33:865-871
The insulator layer and the substrate material play an important role in determining the performance of metal-insulator-semiconductor type solar cells. Here, the effects of insulator layer ...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a4815abfde5d78ad6c97f1a3a2fc6d05
https://doi.org/10.1080/10667857.2018.1520956
https://doi.org/10.1080/10667857.2018.1520956
Publikováno v:
Journal of computational electronics
The application of generalized logistic (GL) functions of the second type in fitting an important smoothing factor in a charge-based MOSFET model has been proposed. Beside the accurate results for the inversion charge density (ICD), this the GL-funct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9cd4ec76a92482fb3ce0b901bedeebda
https://doi.org/10.1007/s10825-018-1137-5
https://doi.org/10.1007/s10825-018-1137-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Priscilla Scarlet, R. Srinivasan
Publikováno v:
2018 4th International Conference on Electrical Energy Systems (ICEES).
In this paper the impact of spacer, and substrate doping concentration on I ON , I OFF , $\mathbf{I}_{\mathbf{ON}}/\mathbf{I}_{\mathbf{OFF}}$ , and unity gain frequency $(\mathbf{f}_{\mathbf{T}})$ of bulk junctionless planar transistor (BPJLT) is stu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e4378f02a25ac7734a3d1190a1393c6
https://doi.org/10.1109/icees.2018.8443284
https://doi.org/10.1109/icees.2018.8443284
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures. 85:82-91
Formation of a parasitic channel in biaxially strained Si channel p-MOSFET, degrades performance of the device. In this paper the effect of SiGe (virtual substrate) doping on formation of parasitic channel and high frequency characteristics of the st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5e5c7f9acae28d92be9a71429e37cab
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2015.05.012
https://doi.org/10.1016/j.spmi.2015.05.012
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.