Zobrazeno 1 - 10 of 88 pro vyhledávání: '"Stutz, C. E."'
1
Akademický článek
Topology and glass structure evolution in (BaO)x ((B2O3)32(SiO2)68)100-x ternary—Evidence of rigid, intermediate, and flexible phases.
Autor: Holbrook, C., Chakraborty, Shibalik, Ravindren, S., Boolchand, P., Goldstein, Jonathan T., Stutz, C. E.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 4/13/2014, Vol. 140 Issue 14, p144506-1-144506-12, 12p, 1 Black and White Photograph, 3 Diagrams, 2 Charts, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Electrical and structural study of partially relaxed Ga0.92In0.08As(p+)/ GaAs(n) diodes.
Autor: Choi, Y. W., Wie, C. R., Evans, K. R., Stutz, C. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/1990, Vol. 68 Issue 3, p1303, 7p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Observation of the donor-bound light-hole free exciton in AlGaAs-GaAs quantum wells.
Autor: Reynolds, D. C., Merkel, K. G., Stutz, C. E., Evans, K. R., Yu, P. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1990, Vol. 67 Issue 1, p439, 4p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
A comparison of electrochemical capacitance-voltage measurements with numerical simulations for pseudomorphic high electron mobility transistor structures.
Autor: Jogai, B., Stutz, C. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/15/1995, Vol. 78 Issue 4, p2531, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Deep traps in molecular-beam-epitaxial GaAs grown at low temperatures.
Autor: Look, D. C., Fang, Z.-Q., Yamamoto, H., Sizelove, J. R., Mier, M. G., Stutz, C. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1994, Vol. 76 Issue 2, p1029, 4p, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Magneto-Hall characterization of delta-doped pseudomorphic high electron mobility transistor structures.
Autor: Look, D. C., Jogai, B., Stutz, C. E., Sherriff, R. E., DeSalvo, G. C., Rogers, T. J., Ballingall, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1994, Vol. 76 Issue 1, p328, 4p, 1 Diagram, 1 Chart, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Moving photoluminescence bands in GaAs1-xSbx layers grown by molecular beam epitaxy on InP substrates.
Autor: Yu, P. W., Stutz, C. E., Manasreh, M. O., Kaspi, R., Capano, M. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1994, Vol. 76 Issue 1, p504, 5p, 1 Chart, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Photoluminescence of Mg-ion implantation in low-temperature grown GaAs.
Autor: Yu, P. W., Yen, M. Y., Stutz, C. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/1994, Vol. 75 Issue 5, p2628, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Analytical two-layer Hall analysis: Application to modulation-doped field-effect transistors.
Autor: Look, D. C., Stutz, C. E., Bozada, C. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1993, Vol. 74 Issue 1, p311, 4p, 1 Diagram, 2 Charts
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje