Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Strilchuk, O. M."'
Publikováno v:
Ukr.J.Phys. 58 (2013) 260-267
Characteristics of GaAs/In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence spectra and t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1303.3884
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 58 No. 3 (2013); 260
Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 260
Український фізичний журнал; Том 58 № 3 (2013); 260
Characteristics of GaAs/InxGa1 xAs/GaAs heterostructures with a single quantum well, which were obtained at various growth parameters, are evaluated according to the results of measurements of low-temperature photoluminescence (PL) spectra and their
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2017, Vol. 20 Issue 3, p305-313, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Parfenyuk, O. A., Ilashchuk, M. I., Ulyanitskiĭ, K. S., Fochuk, P. M., Strilchuk, O. M., Krylyuk, S. G., Korbutyak, D. V.
Publikováno v:
Semiconductors; Feb2006, Vol. 40 Issue 2, p143-147, 5p, 1 Chart, 3 Graphs
Autor:
Glinchuk, K. D., Litovchenko, N. M., Naseka, Y. M., Prokhorovich, A. V., Rashkovetskyi, L. V., Strilchuk, O. M., Sizov, F. F., Olena Voitsihovska, Danilchenko, B. O.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7db9edb323826ddbe29c4ea69654ce75
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-77955891545&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-77955891545&partnerID=MN8TOARS