Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Streb, F"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::35b301dbbcbaade2b7a475ab6a9788d4
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85018184062&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85018184062&partnerID=MN8TOARS
Autor:
Streb, Fabian
Thermal management is a major bottleneck for the next-but-one generation of semiconductor devices, especially the performance of SiC and GaN devices is limited by heat dissipation. This thesis evaluates four new packaging concepts with regards to the
Autor:
Streb, F, Ruhl, G, Schubert, A, Zeidler, H, Penzel, M, Flemmig, S, Todaro, I, Squatrito, R, Lampke, T
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; March 2016, Vol. 118 Issue: 1 p012013-012013, 1p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Streb F; Department of Environmental Research, Austrian Research Centers, Seibersdorf. friederike.strebl@arcs.ac.at, Ringer W, Gerzabek MH
Publikováno v:
Journal of environmental radioactivity [J Environ Radioact] 2002; Vol. 58 (2-3), pp. 143-61.