Zobrazeno 1 - 10
of 426
pro vyhledávání: '"Stranski-Krastanov growth"'
Autor:
Craig A. Ekstrum, Ragavendran Venkatesan, Chito Kendrick, Moshe Einav, Paramasivam Sivaprakash, Jeyanthinath Mayandi, Sonachalam Arumugam, Joshua M. Pearce
Publikováno v:
Surfaces, Vol 5, Iss 2, Pp 321-333 (2022)
To facilitate future novel devices incorporating rare earth metal films and III-V semiconductors on Si substrates, this study investigates the mechanisms of growth via molecular beam epitaxy of gadolinium (Gd) on aluminum nitride (AlN) by determining
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f86c0ce4dfa94d9b8a6e19ea8b67d676
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 17, p 3052 (2022)
A three-dimensional kinetic Monte Carlo methodology is developed to study the strained epitaxial growth of wurtzite GaN/AlN quantum dots. It describes the kinetics of effective GaN adatoms on an hexagonal lattice. The elastic strain energy is evaluat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d39bdd3a46840cf926cb6a5bccec232
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A three-dimensional kinetic Monte Carlo methodology is developed to study the strained epitaxial growth of wurtzite GaN/AlN quantum dots. It describes the kinetics of effective GaN adatoms on an hexagonal lattice. The elastic strain energy is evaluat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3272::a84413cc770b60d36b0fd154541628a3
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 5, Iss 1, Pp 2374-2382 (2014)
The Stranski–Krastanov growth of Ge islands on Si(001) has been widely studied. The morphology changes of Ge islands during growth, from nucleation to hut/island formation and growth, followed by hut-to-dome island transformation and dislocation nu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/16e3c54cb401441d9f5f4909bcbbbf5a
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics. 22:26592-26604
Inorganic-organic hybrid perovskite materials have been a topic of interest for the last few years due to their superior optoelectronic properties. However, the optical properties of perovskite materials are strongly dependent on the film morphology.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00b472d44c26e148389a04846ff0d0d3
https://doi.org/10.1039/d0cp05467d
https://doi.org/10.1039/d0cp05467d
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 2, Iss 1, Pp 333-338 (2011)
GaAsSb quantum dots (QDs) were grown on GaAs in the Stranski–Krastanov (SK) epitaxial mode. Their characteristics were dependent on the Sb/Ga (V/III) flux ratio and the growth temperature. The samples were grown with a V/III ratio between 0.45/1 an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9483420d591d4ae299c895c7ee96e040
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.