Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Stoycheva, Toni"'
Autor:
Stoycheva, Toni
Publikováno v:
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa).
En esta tesis doctoral, se ha investigado y desarrollado un nuevo método de CVD asistido por aerosol (AACVD), que permite el crecimiento de nanoestructuras de WO3 intrínsecas y funcionalizadas con Au. Así mismo se han depositado capas policristali
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10803/52831
Autor:
Fallica, Roberto, Wiemer, Claudia, Stoycheva, Toni, Cianci, Elena, Longo, Massimo, Nguyen, Huu Tan, Kusiak, Andrzej, Battaglia, Jean-Luc
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 25 May 2014 120:3-8
Autor:
Annanouch, Fatima Ezahra, Vallejos, Stella, Stoycheva, Toni, Blackman, Christopher, Llobet, Eduard
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2 December 2013 548:703-709
Autor:
Navío, Cristina, Vallejos, Stella, Stoycheva, Toni, Llobet, Eduard, Correig, Xavier, Snyders, Rony, Blackman, Christopher, Umek, Polona, Ke, Xiaoxing, Van Tendeloo, Gustaaf, Bittencourt, Carla
Publikováno v:
In Materials Chemistry and Physics 15 June 2012 134(2-3):809-813
Autor:
Qadri, Muhammad U., Stoycheva, Toni, Pujol, Maria Cinta, Llobet, Eduard, Correig, Xavier, Borull, Josep Ferre, Aguiló, Magdalena, Díaz, Francesc
Publikováno v:
In Procedia Engineering 2011 25:761-764
Publikováno v:
Physica status solidi. Rapid research letters
7 (2013): 1009–1013. doi:10.1002/pssr.201308074
info:cnr-pdr/source/autori:Fallica, Roberto; Stoycheva, Toni; Wiemer, Claudia; Longo, Massimo/titolo:Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells/doi:10.1002%2Fpssr.201308074/rivista:Physica status solidi. Rapid research letters (Print)/anno:2013/pagina_da:1009/pagina_a:1013/intervallo_pagine:1009–1013/volume:7
7 (2013): 1009–1013. doi:10.1002/pssr.201308074
info:cnr-pdr/source/autori:Fallica, Roberto; Stoycheva, Toni; Wiemer, Claudia; Longo, Massimo/titolo:Structural and electrical analysis of In-Sb-Te-based PCM cells/doi:10.1002%2Fpssr.201308074/rivista:Physica status solidi. Rapid research letters (Print)/anno:2013/pagina_da:1009/pagina_a:1013/intervallo_pagine:1009–1013/volume:7
Two In-Sb-Te compounds with low Te content (12 at.% and 17 at.%), deposited by metalorganic chemical vapour deposition, were implemented into prototype phase-change memory devices of size 50 x 50 nm(2) and 93 x 93 nm(2). These chalcogenides yielded d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::4806a1c2b348a687dd19fa61eab616e7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.