Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"Stosic, Borko D"'
Autor:
Stosic, Borko D.
In this work Data Envelopment Analysis (DEA) is employed in thirty-day windows to quantify temporal evolution of relative pandemic mitigation inefficiency of Brazilian municipalities. For each thirty-day window the results of inefficiency scores of o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.09999
The beta Weibull distribution was introduced by Famoye et al. (2005) and studied by these authors. However, they do not give explicit expressions for the moments. We now derive explicit closed form expressions for the cumulative distribution function
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0809.1860
Fast random number generation using 128 bit multimedia extension registers on Pentium class machines
Autor:
Stosic, Borko D.
In this work it is shown how 128 bit SSE2 multimedia extension registers, present in Pentium IV class 32 bit processors, may be used to generate random numbers at several times greater speed then when regular general purpose registers are used. In pa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/0609211
An exact analytical derivation is presented, showing that the Ising model on the Cayley tree exhibits a line of third order phase transition points, between temperatures $T_2=2k_B^{-1}J\ln ({\sqrt 2}+1) $ and $T_{BP}=k_B^{-1}J\ln (3)$, and a line of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0504161
It is found that the zero field susceptibility chi of the Ising model on the Cayley tree exhibits unusually weak divergence at the critical point Tc. The susceptibility amplitude is found to diverge at Tc proportionally to the tree generation level n
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0208412
Autor:
Stošić, Borko D., Santos Silva, José Rodrigo, Filho, Moacyr Cunha, Barros Cantalice, Jose Ramon
Publikováno v:
In Journal of Hydrology 11 July 2012 450-451:199-205
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Brazilian Journal of Physics
To improve the understanding of the microscopic properties of the silicon oxidation process, we perform numerical simulations of thermal SiO2 thin film growth. Therefrom, we analyze the growth kinetics as well as the evolution of the SiO2/Si interfac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4175::ac0b0a75ad0da8a35076362b8be155ff
http://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/2736
http://vinar.vin.bg.ac.rs/handle/123456789/2736
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.