Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Stoquert, Jean Paul"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Avasthi Devesh, Kabiraj Debdulal, Stoquert Jean-Paul, Mücklich Arndt, Zhou Shengqiang, Schmidt Heidemarie, Kumar Hardeep, Ghosh Santanu
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 6, Iss 1, p 155 (2011)
Abstract Present work reports the elongation of spherical Ni nanoparticles (NPs) parallel to each other, due to bombardment with 120 MeV Au+9 ions at a fluence of 5 × 1013 ions/cm2. The Ni NPs embedded in silica matrix have been prepared by atom bea
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/798fc7a9418345b9b6596ec874f84730
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Golanski, André, Grambole, Dieter, Hommet, Jean, Herrmann, Folker, Kern, Philippe, McDonnell, Liam, Piazza, Fabrice, Stoquert, Jean-Paul
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2001, Vol. 675 Issue 1, p1-6, 6p
Autor:
Repplinger, Florence, Fogarassy, Eric, Grob, Adriana, Grob, Jean-Jacques, Prevot, Bernard, Stoquert, Jean-Paul, de Unamuno, Salome
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 11/ 1/1994, Issue 1, p652-658, 7p
Autor:
Toulemonde, Marcel, Assmann, Walter, Ban-d'Etat, Brigitte, Bender, Markus, Bergmaier, Andreas, Boduch, Philippe, Della Negra, Serge, Duan, Jinglai, El-Said, Ayman S., Grüner, Florian, Liu, Jie, Leliévre, Daniel, Rothard, Hermann, Seidl, Tim, Severin, Daniel, Stoquert, Jean Paul, Voss, Kay-Obe, Trautmann, Christina
Publikováno v:
European Physical Journal D (EPJ D); Sep2020, Vol. 74 Issue 9, p1-1, 1p
Autor:
D'ORLEANS, Céline
Publikováno v:
Matière Condensée [cond-mat]. Université Louis Pasteur-Strasbourg I, 2003. Français
This work aims to investigate the capability of ion irradiations to elaborate magnetic nanoparticles in silica layers, and to modify their properties. Co+ ions have been implanted at 160 keV at fluences of 2.1016, 5.1016 and 1017 at.cm-2, and at temp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b686224dcd570c36f2f005a483918e12
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006290/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00006290/document
