Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Stoppel, Dimitri"'
Autor:
Stoppel, Dimitri
For frequencies above 300 GHz applications are still in the research state since commercially available systems are missing. This dissertation shows three key aspects in process development that are now part of a standard indium phosphide (InP) trans
Autor:
Stoppel, Dimitri, Ostermay, Ina, Hrobak, Michael, Shivan, Tanjil, Hossain, Maruf, Reiner, Maria, Thiele, Nico, Nosaeva, Ksenia, Brahem, Mohamed, Krozer, Viktor, Boppel, Sebastian, Halder, Nripendra, Weimann, Nils
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 March 2019 208:1-6
A fundamental up-converter with high linearity is presented, realized as full Gilbert cell (GC) mixer using a 800 nm transferred substrate (TS) InP-DHBT technology. The LO input of the Gilbert cell conducts from 75 to 100 GHz and requires 5 dBm of in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d49e83806d58377b5d3b57f64789ddb2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Brahem, Mohamed, Mogilatenko, Anna V., Stoppel, Dimitri, Berger, Dirk, Hochheim, Stefan, Rentner, D., Ostermay, Ina, Reiner, Maria, Boppel, Sebastian, Nosaeva, Ksenia S., Weimann, Nils
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=unidue___bib::5278750d535e1b79371270e5f3e8fbcb
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85066396927
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85066396927
Autor:
Weimann, Nils G., Johansen, Tom Keinicke, Stoppel, Dimitri, Matalla, Matthias, Brahem, Mohamed, Nosaeva, Ksenia, Boppel, Sebastian, Volkmer, Nicole, Ostermay, Ina, Krozer, Viktor, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.
Publikováno v:
Weimann, N G, Johansen, T K, Stoppel, D, Matalla, M, Brahem, M, Nosaeva, K, Boppel, S, Volkmer, N, Ostermay, I, Krozer, V, Ostinelli, O & Bolognesi, C R 2018, ' Transferred-Substrate InP/GaAsSb Heterojunction Bipolar Transistor Technology With fmax ~ 0.53 THz ', I E E E Transactions on Electron Devices, vol. 65, no. 9, pp. 3704-3710 . https://doi.org/10.1109/TED.2018.2854546
We report on the realization mymargin of transferred-substrate InP/GaAsSb double heterostructure bipolar transistors in a terahertz monolithic integrated circuit process. Transistors with 0.4- mu m -wide single emitters reached unilateral gain cutoff
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::dc9d88f20ff252d3c9042c194e9516f3
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85050247930
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=85050247930
Autor:
Hrobak, Michael, Thurn, Karsten, Moll, Jochen, Hossain, Maruf, Shrestha, Amit, Al-Sawaf, Thualfiqar, Stoppel, Dimitri, Weimann, Nils G., Rämer, Adam, Heinrich, Wolfgang, Martinez, Javier, Vossiek, Martin, Johansen, Tom K., Krozer, Viktor, Resch, Marion, Bosse, Jürgen, Sterns, Michael, Loebbicke, Kai, Zorn, Stefan, Eissa, Mohamed
Publikováno v:
Journal of Infrared, Millimeter & Terahertz Waves; Mar2021, Vol. 42 Issue 3, p275-324, 50p
SciFab -a wafer-level heterointegrated InP DHBT/SiGe BiCMOS foundry process for mm-wave applications
Autor:
Weimann, Nils, Stoppel, Dimitri, Schukfeh, Muhammed I., Hossain, Maruf, Al-Sawaf, Thualfiqar, Janke, Bernd, Doerner, Ralf, Sinha, Siddharta, Schmückle, Franz-Josef, Krüger, Olaf, Krozer, Viktor, Heinrich, Wolfgang, Lisker, Marco, Krüger, Andreas, Datsuk, Anton, Meliani, Chafik, Tillack, Bernd
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=unidue___bib::e2332920f847cbea5d88daeab7936e5e
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=84956853047
https://www.scopus.com/inward/record.url?partnerID=HzOxMe3b&origin=inward&scp=84956853047
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.