Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"Stolichnov, Igor"'
Autor:
Mittmann, Terence, Materano, Monica, Lomenzo, Patrick D., Park, Min Hyuk, Stolichnov, Igor, Cavalieri, Matteo, Zhou, Chuanzhen, Chung, Ching-Chang, Jones, Jacob L., Szyjka, Thomas, Müller, Martina, Kersch, Alfred, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe
Thin film metal–insulator–metal capacitors with undoped HfO₂ as the insulator are fabricated by sputtering from ceramic targets and subsequently annealed. The influence of film thickness and annealing temperature is characterized by electrical
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A80520
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80520/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80520/attachment/ATT-0/
Autor:
Stolichnov, Igor, Cavalieri, Matteo, Colla, Enrico, Schenk, Tony, Mittmann, Terence, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe, Ionescu, Adrian M.
The new class of fully silicon-compatible hafnia-based ferroelectrics with high switchable polarization and good endurance and thickness scalability shows a strong promise for new generations of logic and memory devices. Among other factors, their co
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A80969
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80969/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A80969/attachment/ATT-0/
Boltzmann tyranny poses a fundamental limit to lowering the energy dissipation of conventional MOS devices, a minimum increase of the gate voltage, i.e. 60 mV, is required for a 10-fold increase in drain-to-source current at 300 K. Negative Capacitan
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1804.09622
Autor:
Mokry, Pavel, Wang, Yongli, Tagantsev, Alexander K., Damjanovic, Dragan, Stolichnov, Igor, Setter, Nava
Publikováno v:
Phys. Rev. B, Vol. 79, No. 5, Art. No. 054104 (2009)
An evidence that the dielectric ageing in the polydomain Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films is controlled by progressive pinning of 180 domain walls is presented. To provide such a conclusion, we use a general method, which is based on the study of the ti
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0810.0369
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gastaldi, Carlotta, Cavalieri, Matteo, Saeidi, Ali, O'Connor, Eamon, Bellando, Francesco, Stolichnov, Igor, Ionescu, Adrian M.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; May2022, Vol. 69 Issue 5, p2680-2685, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.