Výsledky vyhledávání - "Stokes, E. B."

Autor: Bardwell, J. A., Caldwell, J. D., Hunter, G. W., Mi, Z., Stokes, E. B., Wetzel, C.

Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 12 - 219th ECS Meeting, May 1-6, 2011, Montreal, QC, Canada
Series: ECS Transactions; no. Volume 35, Issue 6

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1674::d269791bb9e824bbd30de557a7862238
https://nrc-publications.canada.ca/eng/view/object/?id=d3fbb990-df80-415b-81d1-7a7607132ef9

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Effect of Growth Pressure and Gas-Phase Chemistry on the Optical Quality of InGaN/GaN Multi-Quantum Wells.

Autor: Armour, E. A., Byrnes, D., Arif, R. A., Lee, S. M., Berkman, E. A., Papasouliotis, G. D., Li, C., Stokes, E. B., Hefti, R., Moyer, P.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2013, Vol. 1538 Issue 1, p341-351, 11p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Influence of Defects on Current Transport in GaN/InGaN Multiple Quantum Well Light-Emitting Diodes.

Autor: Cao, X. A., Stokes, E. B., LeBoeuf, S. F., Sandvik, P. M., Kretchmer, J., Walker, D.

Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 2002, Vol. 722 Issue 1, p1-6, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Very Low Pressure Magnetron Reactive Ion Etching of GaN and AlxGa1-xN Using Dichlorofluoromethane (Halocarbon 12).

Autor: Batoni, P., Patel, K., Burkhart, C. C., Shah, T. K., Iyengar, V., Ahrens, M. T., Morton, S. T., Bobbio, S. M., Stokes, E. B.

Publikováno v: Journal of Electronic Materials; Sep2007, Vol. 36 Issue 9, p1448-1454, 8p, 2 Black and White Photographs, 3 Diagrams, 6 Charts, 6 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Integration of CdSe quantum dots with GaN optoelectronic materials.

Autor: Pagan, J. G., Ahrens, M. T., Stokes, E. B., Martin, B. A., Hasan, M.-A.

Publikováno v: Physica Status Solidi (C); 2005, Vol. 2 Issue 7, p2924-2927, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání