Výsledky vyhledávání - "Stockmeier, Ludwig"

Hochdotiertes n-Typ Silicium und die Versetzungsentstehung während seiner Züchtung mittels des Czochralskiverfahrens

Autor: Stockmeier, Ludwig

In power electronic applications PowerMOSFET devices are used for the efficient conversion of energy. Since a vertical current flow through the silicon (Si) substrate exists, the substrates are heavily doped to minimize loss. But, during the growth o

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::68170277853f968d7b2c09a11d3e05a3
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/9390

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Periodical

Electrically Inactive Dopants in Heavily Doped As-Grown Czochralski Silicon

Autor: Stockmeier, Ludwig, Elsayed, Mohamed, Krause-Rehberg, Reinhard, Zschorsch, Markus, Lehmann, Lothar, Friedrich, Jochen

Publikováno v: Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; October 2015, Vol. 242 Issue: 1 p10-14, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Dislocation formation in heavily As-doped Czochralski grown silicon

Autor: Stockmeier, Ludwig, Lehmann, Lothar, Miller, Alfred, Reimann, Christian, Friedrich, Jochen

Publikováno v: Crystal Research and Technology. 52(8):1600373

During the growth of -oriented, heavily n-type doped silicon crystals by the Czochralski method dislocation formation occurs frequently, leading to a reduction of the crystal yield. Up to now, it is not clear where and why the dislocations form. Ther

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::daf67a5db5c527851850450a98750ef7

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání