Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Steven C. Selbrede"'
Autor:
Steven C. Selbrede, Zucker Martin L
Publikováno v:
MRS Proceedings. 476
Parylene-N thin films were characterized from the viewpoint of advanced VLSI intermetal dielectric applications. All films were deposited in a prototype production system that included a vacuum chamber, electrostatic cold chuck and a parylene vapor d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ba337a00bf578610a688f612ef94a60
https://doi.org/10.1557/proc-476-219
https://doi.org/10.1557/proc-476-219
Autor:
Mark T. Weise, Steven C. Selbrede
Publikováno v:
MRS Proceedings. 476
The quality of TEOS fluorosilicate glass (FSG) films deposited on deep silicon trenches was investigated by etching the films with 100:1 HF. The etch rate of the top and sidewall surfaces was measured by SEM as a function of FSG fluorine content. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ace4e91a4a61c928eb846e6d5eb0f1c6
https://doi.org/10.1557/proc-476-279
https://doi.org/10.1557/proc-476-279
Autor:
Steven C. Selbrede
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Linewidth control and profile contouring of polysilicon by anisotropic plasma etching with Freon 115, (CC1F5), and Freon 115/oxygen gas mixtures were investigated utilizing an LFE model 1002-P plana plasma etcher with a laser interferometric endpoint
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7dedc6302d9f3f60e9a7e22134d86dac
https://doi.org/10.1117/12.958624
https://doi.org/10.1117/12.958624
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.