Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Steuer O"'
Autor:
Steuer, O., Michailow, M., Hübner, R., Pyszniak, K., Turek, M., Kentsch, U., Ganss, F., Khan, M. M., Rebohle, L., Zhou, S., Knoch, J., Helm, M., Cuniberti, G., Georgiev, Y. M., Prucnal, S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/14/2024, Vol. 136 Issue 6, p1-9, 9p
Autor:
Steuer, O., Schwarz, D., Oehme, M., Bärwolf, F., Cheng, Y., Ganss, F., Hübner, R., Heller, R., Zhou, S., Helm, M., Cuniberti, G., Georgiev, Y. M., Prucnal, S.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/7/2024, Vol. 136 Issue 5, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Steuer, O, Liedke, M O, Butterling, M, Schwarz, D, Schulze, J, Li, Z, Wagner, A, Fischer, I A, Hübner, R, Zhou, S, Helm, M, Cuniberti, G, Georgiev, Y M, Prucnal, S
Publikováno v:
Journal of Physics: Condensed Matter; 2/28/2024, Vol. 36 Issue 8, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
NANONET+ Workshop, 04.-06.10.2022, Görlitz, Germany
CMOS scaling is reaching physical limits in near future. Therefore, new approaches are required to continue achieving high speed and high performance devices. Replacing silicon with silicon-germanium alloy as a channel material having higher mobility
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::b8b76d323415d726202d178767f8af18
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36382-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36382-1
Fabrication & Electrical characterization of Silicon-Germanium Nanowire Schottky Barrier Transistors
Publikováno v:
DPG Meeting of the Condensed Matter Section (SKM), 04.-09.09.2022, Regensburg, Germany
CMOS scaling is reaching physical limits in near future. Therefore, new approaches are required to continue achieving high speed and high performance devices. Replacing silicon with silicon-germanium alloy as a channel material having higher mobility
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::023a7b6f44bdfbaa8cd06e6f588f34d8
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36381-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36381-1