Zobrazeno 1 - 10 of 61 pro vyhledávání: '"Stepanova, M. N."'
1
Report
Low-temperature spin relaxation in n-type GaAs
Autor: Dzhioev, R. I., Kavokin, K. V., Korenev, V. L., Lazarev, M. V., Meltser, B. Ya., Stepanova, M. N., Zakharchenya, B. P., Gammon, D., Katzer, D. S.
Low-temperature electron spin relaxation is studied by the optical orientation method in bulk n-GaAs with donor concentrations from 10^14 cm^{-3} to 5x10^17 cm^{-3}. A peculiarity related to the metal-to-insulator transition (MIT) is observed in the
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0208083
Zobrazit plný text záznamu
2
TRANSFORMATION OF PUBLIC FINANCE IN THE ERA OF DIGITALIZATION (USING THE EXAMPLE OF PUBLIC FINANCIAL CONTROL)
Autor: Stepanova, M. N., Lvova, M. I.
В статье рассматриваются изменения в сфере публичных финансов, которые произошли под натиском цифровизированной эры. Проводится анали
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::b157cdb55124efa7e47fb1ea78537cb2
https://hdl.handle.net/10995/116760
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The Effect of Maintaining a High Conductivity State in High-Voltage GaAs Diodes Switched-on in the Delayed Avalanche Breakdown Mode.
Autor: Rozhkov, A. V.1 (AUTHOR) rozh@hv.ioffe.rssi.ru, Ivanov, M. S.1 (AUTHOR), Rodin, P. B.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Technical Physics Letters. 2023 Suppl 2, Vol. 49, pS116-S120. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Effect of Neutron Irradiation on the Spectrum of Deep-Level Defects in GaAs Grown by Liquid-Phase Epitaxy in a Hydrogen and Argon Atmosphere.
Autor: Sobolev, M. M.1 (AUTHOR) m.sobolev@mail.ioffe.ru, Soldatenkov, F. Yu.1 (AUTHOR) f.soldatenkov@mail.ioffe.ru
Publikováno v: Semiconductors. Feb2022, Vol. 56 Issue 2, p107-114. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
RISK MANAGEMENT LEVEL DETERMINANTS IN VISEGRAD COUNTRIES – SECTORAL ANALYSIS.
Autor: BELAS, Jaroslav1, GAVUROVA, Beata1 gavurova@utb.cz, KUBAK, Matus2, NOVOTNA, Andrea3
Publikováno v: Technological & Economic Development of Economy. 2023, Vol. 29 Issue 1, p307-325. 19p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Electron Spin Relaxation and Resonant Cooling of Nuclear Spins in GaAs:Mn Structures.
Autor: Evdokimov, A. E.1 (AUTHOR) evdokimov.artyom@gmail.com, Kuznetsova, M. S.1 (AUTHOR), Mikhailov, A. V.1 (AUTHOR), Kavokin, K. V.1 (AUTHOR), Dzhioev, R. I.2 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Sep2021, Vol. 55 Issue 9, p726-730. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Capacitance Spectroscopy of Heteroepitaxial AlGaAs/GaAs p–i–n Structures.
Autor: Sobolev, M. M.1 (AUTHOR) m.sobolev@mail.ioffe.ru, Soldatenkov, F. Y.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1260-1266. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Subnanosecond Avalanche Switching Simulations of n+–n–n+ Silicon Structures.
Autor: Podolska, N. I.1 (AUTHOR) natalia@scc.ioffe.ru, Rodin, P. B.1 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Mar2019, Vol. 53 Issue 3, p379-384. 6p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje