Zobrazeno 1 - 10
of 594
pro vyhledávání: '"Stepanov, S.I."'
Autor:
Myasoedov, A.V., Pavlov, I.S., Morozov, A.V., Pechnikov, A.I., Stepanov, S.I., Nikolaev, V.I.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing December 2024 184
Autor:
Vyvenko, O.F., Shapenkov, S.V., Ubyivovk, E.V., Bondarenko, A.S., Pechnikov, A.I., Nikolaev, V.I., Stepanov, S.I.
Publikováno v:
In Materialia December 2023 32
Autor:
Polyakov, A.Y., Nikolaev, V.I., Pechnikov, A.I., Yakimov, E.B., Karpov, S. Yu., Stepanov, S.I., Shchemerov, I.V., Vasilev, A.A., Chernykh, A.V., Kuznetsov, A., Lee, In-Hwan, Pearton, S.J.
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 5 March 2023 936
Autor:
Yakovlev, N.N., Almaev, A.V., Nikolaev, V.I., Kushnarev, B.O., Pechnikov, A.I., Stepanov, S.I., Chikiryaka, A.V., Timashov, R.B., Scheglov, M.P., Butenko, P.N., Almaev, D.A., Chernikov, E.V.
Publikováno v:
In Materials Today Communications March 2023 34
Autor:
Almaev, A.V., Nikolaev, V.I., Yakovlev, N.N., Butenko, P.N., Stepanov, S.I., Pechnikov, A.I., Scheglov, M.P., Chernikov, E.V.
Publikováno v:
In Sensors and Actuators: B. Chemical 1 August 2022 364
Publikováno v:
In Intermetallics April 2020 119
Autor:
Nikolaev, Vladimir, Polyakov, Alexander Y., Stepanov, S.I., Pechnikov, Aleksey, Guzilova, Liubov, Scheglov, Michail, Chikiryaka, A.V.
In this work, we study the thermal stabilization of metastable α-Ga2O3 in growth experiments. Gallium oxide films are grown on c- and r-plane sapphire substrates by halide vapor phase epitaxy (HVPE) at the temperature range of 450-690 oC. The surfac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c1602c7465ddf10e7f8baba4d85cb0a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yakovlev, Nikita, Almaev, Aleksei, Butenko, Pavel, Mikhaylov, Alexey, Pechnikov, Aleksey, Stepanov, S.I., Timashov, Roman, Chikiryaka, Andrew, Nikolaev, Vladimir
Publikováno v:
Materials physics and mechanics. 2022. Vol. 48, № 3. P. 301-307
The effect of Si+ ion irradiation of α-Ga2O3 at doses of 8·1012 cm-2, 8·1014 cm-2, and energy of 100 keV on the gas-sensitive properties has been studied. It is shown that irradiation of α-Ga2O3 layer grown by halide vapor phase epitaxy with impl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cd4ad0c9d26a28744323133bca523441
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.