Zobrazeno 1 - 10
of 96
pro vyhledávání: '"Step graded"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 17, Iss 7, p 1684 (2017)
The UV-to-visible rejection ratio is one of the important figure of merits of GaN-based UV photodetectors. For cost-effectiveness and large-scale fabrication of GaN devices, we tried to grow a GaN epitaxial layer on silicon substrate with complicated
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f5de8c904073486ebf6ce445fbe30330
Autor:
Rizqy Pratama Rahman, Retno Wigajatri Purnamaningsih, Nji Raden Poespawati, Tomy Abuzairi, Junivan Sulistianto
This paper shows the attempt to increase the performance of triple-junction hydrogenated silicon solar cells with structure nc-Si:H/a-Si:H/a-SiGe:H. The wxAMPS software was used to simulate and optimize the design. In an attempt to increase the perfo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::81bb9eed159346dec5fcf3aa13efd820
https://zenodo.org/record/4895779
https://zenodo.org/record/4895779
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. Avrutin, M. Elçi, Atilla Aydinli, Hadis Morkoç, Kai Ding, Ümit Özgür, Ismail Altuntas, M. Genç, N. Sheremet, V. N. Sheremet, Negar Gheshlaghi
Publikováno v:
Superlattices and Microstructures
WOS: 000425566100069
Enhancement of InGaN/GaN based light emitting diode performance with step graded electron injectors through a two-step passivation is reported. Perimeter passivation of LED dies with SiO2 immediately following ICP mesa etch
Enhancement of InGaN/GaN based light emitting diode performance with step graded electron injectors through a two-step passivation is reported. Perimeter passivation of LED dies with SiO2 immediately following ICP mesa etch
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fd9e20272008e778637f459ff9342f06
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/29357
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/29357