Low-temperature strain relaxation in ion-irradiated pseudomorphic SiGe/Si structures

Autor: Avrutin, V.S, Izyumskaya, N.F ^*, Vyatkin, A.F, Zinenko, V.I, Agafonov, Yu.A, Irzhak, D.V, Roshchupkin, D.V, Steinman, E.A, Vdovin, V.I, Yugova, T.G

Publikováno v: In Materials Science & Engineering B 2002 89(1):350-354

Nanovoids in MBE-grown SiGe alloys implanted in situ with Ge+ ions

Autor: Gaiduk, P.I., Hansen, John Lundsgaard, Nylandsted Larsen, Arne, Steinman, E.A.

Publikováno v: Gaiduk, P I, Hansen, J L, Nylandsted Larsen, A & Steinman, E A 2003, ' Nanovoids in MBE-grown SiGe alloys implanted in situ with Ge + ions ', Physical Review B, vol. 67, pp. 235310 .

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pure_au_____::58d4d8f09eed731c400ad3959138c66d
https://pure.au.dk/portal/da/publications/nanovoids-in-mbegrown-sige-alloys-implanted-in-situ-with-ge-ions(64689d80-89c2-11db-bee9-02004c4f4f50).html

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Possible Polymerisation at Dislocations in C60 Crystals.

Autor: Dyachenko-Dekov, D.V., Iunin, Yu.L., Izotov, A.N., Kveder, V.V., Nikolaev, R.K., Orlov, V.I., Ossipyan, Yu.A., Sidorov, N.S., Steinman, E.A.

Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Nov2000, Vol. 222 Issue 1, p111-119, 9p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.