Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Steep switching device"'
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 60, Iss , Pp 107619- (2024)
Recently, a phase-transition field effect transistor (phase-FET) integrated with a phase-transition material (PTM) is attracting attention as a steep switching device, and attempts to solve the power consumption limitation of conventional CMOS using
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8655bf3bb8824097a3f9db107fcc0cb3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hanggyo Jung, Jeesoo Chang, Changhyun Yoo, Jooyoung Oh, Sumin Choi, Juyeong Song, Jongwook Jeon
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 22, p 4096 (2022)
In this work, a hybrid-phase transition field-effects-transistor (hyper-FET) integrated with phase-transition materials (PTM) and a multi-nanosheet FET (mNS-FET) at the 3 nm technology node were analyzed at the device and circuit level. Through this,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d894d6f01cfb4599a9fac0da65e49c24
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nano Convergence, Vol 5, Iss 1, Pp 1-9 (2018)
Abstract Simply including either single ferroelectric oxide layer or threshold selector, we can make conventional field effect transistor to have super steep switching characteristic, i.e., sub-60-mV/decade of subthreshold slope. One of the represent
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/564e887026b541c8b665cf15e87913a7
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 10, Iss 9, p 3070 (2020)
Feedback field-effect transistors (FBFETs) are devices based on a positive feedback loop in which the electrons and holes in the channel region act on the energy states of the potential barrier and wall. Owing to the positive feedback phenomenon, FBF
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5e77e1c32e134cce90172f0f9acb7718
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences
Volume 10
Issue 9
Applied Sciences, Vol 10, Iss 3070, p 3070 (2020)
Volume 10
Issue 9
Applied Sciences, Vol 10, Iss 3070, p 3070 (2020)
Feedback field-effect transistors (FBFETs) are devices based on a positive feedback loop in which the electrons and holes in the channel region act on the energy states of the potential barrier and wall. Owing to the positive feedback phenomenon, FBF
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d0246439a31347df21dc3d9515a80858
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.