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Autor:
Stedile, Fernanda Chiarello
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Esta tese trata de filmes finos de materiais dielétricos depositados por sputtering reativo e crescidos termicamente que são analisados por métodos de feixes de íons. Como introdução aos nossos trabalhos, são abordados os princípios da deposi
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/1832
Filmes finos de óxido de estanho: efeitos da implantação iônica e de ambientes oxidantes e redutores
Autor:
Stedile, Fernanda Chiarello
Publikováno v:
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSUniversidade Federal do Rio Grande do SulUFRGS.
Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de C
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10183/1370
Autor:
Geller, Ana Maria, Stedile, Fernanda Chiarello, Peralba, Maria do Carmo Ruaro, Pizzolato, Tânia Mara, dos Santos, João Henrique Zimnoch
Publikováno v:
In Journal of Colloid And Interface Science 2005 288(1):45-54
Publikováno v:
In Applied Catalysis A, General 2004 261(1):57-67
Autor:
Franceschini, Fernando C, Tavares, Tatiana T.da R, Greco, Paula P, Bianchini, Daniela, Stedile, Fernanda Chiarello, Galland, Griselda B, dos Santos, João H.Z, Soares, João B.P
Publikováno v:
In Journal of Molecular Catalysis. A, Chemical 2003 202(1):127-134
Publikováno v:
In Journal of Molecular Catalysis. A, Chemical 2003 197(1):233-243
Autor:
dos Santos, João Henrique Zimnoch *, Greco, Paula Palmeira, Stedile, Fernanda Chiarello, Dupont, Jairton
Publikováno v:
In Journal of Molecular Catalysis. A, Chemical 2000 154(1):103-113
Autor:
dos Santos, João Henrique Zimnoch a, *, Krug, Cristiano a, da Rosa, Marcelo Barbosa a, Stedile, Fernanda Chiarello a, Dupont, Jaı̈rton a, de Camargo Forte, Madalena b
Publikováno v:
In Journal of Molecular Catalysis. A, Chemical 1999 139(2):199-207
Autor:
Pitthan Filho, Eduardo, Reis, Roberto dos, Corrêa, Silma Alberton, Schmeisser, Dieter, Boudinov, Henri Ivanov, Stedile, Fernanda Chiarello
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Understanding the influence of SiC reaction with CO, a by-product of SiC thermal oxidation, is a key point to elucidate the origin of electrical defects in SiC metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. In this work, the effects on electrical, structur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::9422eab2435bc0a27347b6e72d15d106
Autor:
Pitthan Filho, Eduardo, Corrêa, Silma Alberton, Boudinov, Henri Ivanov, Stedile, Fernanda Chiarello
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)
instacron:UFRGS
Effects of water vapor annealing on SiO2/4H-SiC structures formed following different routes were investigated using water isotopically enriched in 18O and 2H (D). Isotopic exchange between oxygen from the water vapor and oxygen from SiO2 films depos
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::6186f2ba78b08fdf13b1471520fc67cb