Zobrazeno 1 - 10 of 15 544 pro vyhledávání: '"Static random access memory"'
1
Akademický článek
Design of SRAM cell using an optimized D-latch in quantum-dot cellular automata (QCA) technology.
Autor: Rathore, Nitesh Kumar1 (AUTHOR) niteshrathore98@gmail.com, Singh, Pooran1 (AUTHOR) pooran.singh@mahindrauniversity.edu.in
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 10/7/2024, Vol. 136 Issue 13, p1-13. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
COMPARATIVE ANALYSIS OF LOW POWER SRAM CELLS USING GATED VDD AND MTCMOS TECHNIQUES.
Autor: Dhariwal, Sandeep1, Thomas, Aby K.1 aby.thomas@alliance.edu.in, Korah, Reeba1, Manasi, S.1
Publikováno v: International Journal of Energy, Environment & Economics. 2024, Vol. 31 Issue 2, p265-274. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
A 0.75V 10nm FinField-Effect Transistor Based Hybrid Self Controlled PreCharge Free Content Addressable Memory for Low Standby Power Applications.
Autor: Shanmugam, Arulpriya1 (AUTHOR) arul.priya91@gmail.com, Ponnusamy, Kumar1 (AUTHOR)
Publikováno v: International Journal of Electronics. Oct2024, Vol. 111 Issue 10, p1679-1699. 21p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
A low-power SRAM design with enhanced stability and ION/IOFF ratio in FinFET technology for wearable device applications.
Autor: Abbasian, Erfan1 (AUTHOR) erfan.cmu@gmail.com, Birla, Shilpi2 (AUTHOR), Sachdeva, Ashish3 (AUTHOR), Mani, Elangovan4 (AUTHOR)
Publikováno v: International Journal of Electronics. Oct2024, Vol. 111 Issue 10, p1724-1741. 18p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Error reduction of SRAM-based physically unclonable function for chip authentication.
Autor: Kim, Moon-Seok1,2,3 (AUTHOR), Kim, Sungho4 (AUTHOR), Yoo, Sang-Kyung2 (AUTHOR), Lee, Bong-Soo2 (AUTHOR), Yu, Ji-Man1 (AUTHOR), Tcho, Il-Woong1 (AUTHOR), Choi, Yang-Kyu1 (AUTHOR) ykchoi@ee.kaist.ac.kr
Publikováno v: International Journal of Information Security. Oct2023, Vol. 22 Issue 5, p1087-1098. 12p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
A Low Threshold Voltage Ultradynamic Voltage Scaling SRAM Write Assist Technique for High-Speed Applications.
Autor: Janniekode, Uma Maheshwar1 (AUTHOR), Somineni, Rajendra Prasad1 (AUTHOR)
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. 11/7/2023, p1-8. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
9T fast‐write SRAM bit cell with no conflicts for ultra‐low voltage.
Autor: Jiang, Chenjie1 (AUTHOR), Wen, Junqi1 (AUTHOR), Meng, Siyu1 (AUTHOR), Fu, Kepu1 (AUTHOR), Xia, Changquan1 (AUTHOR), Chen, Haitao1 (AUTHOR), Qian, Qinyu1 (AUTHOR), Cheng, Liwen1 (AUTHOR) lwcheng@yzu.edu.cn
Publikováno v: Electronics Letters (Wiley-Blackwell). Sep2024, Vol. 60 Issue 17, p1-4. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Scanning the Issue.
Autor: Kumar, Arun1 (AUTHOR) arunkm@care.iitd.ac.in, Koul, Shiban K2 (AUTHOR) shiban_koul@hotmail.com, Mallik, Ranjan K1 (AUTHOR) rkmallik@ee.iitd.ernet.in
Publikováno v: IETE Journal of Research. Oct2023, Vol. 69 Issue 10, p6643-6651. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Node Voltage and KCL Model-Based Low Leakage Volatile and Non-Volatile 7T SRAM Cells.
Autor: Kumar, C. S. Hemanth1 (AUTHOR) hemanthcs@rediffmail.com, Kariyappa, B. S.2 (AUTHOR) kariyappabs@rvce.edu.in
Publikováno v: IETE Journal of Research. Oct2023, Vol. 69 Issue 10, p7227-7243. 17p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje