Zobrazeno 1 - 10
of 1 066
pro vyhledávání: '"Static Random Access Memory (SRAM)"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Vol 5, Pp 328-340 (2024)
This paper proposes a novel 8T-SRAM based computing-in-memory (CIM) accelerator for the Binary/Ternary neural networks. The proposed split dual-port 8T-SRAM cell has two input ports, simultaneously performing two binary multiply-and-accumulate (MAC)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/55a638030cfb438b9833212a4b3c09e4
Autor:
Minji Bang, Jonghyeon Ha, Minki Suh, Dabok Lee, Minsang Ryu, Jin-Woo Han, Hyunchul Sagong, Hojoon Lee, Jungsik Kim
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 130347-130355 (2024)
The effects of single event upset (SEU) by alpha particles and heavy ions on the data flip of a 3 nm technology node gate-all-around (GAA) nanosheet field-effect transistor (NSFET) 6T static random-access memory (SRAM) cell was studied through techno
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c729c86dcf4b40dd8aafed6967dcc577
Autor:
Keun-Yong Chung, Honggu Kim, Yerim An, Kiho Seong, Dong-Hyun Shin, Kwang-Hyun Baek, Yong Shim
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 24254-24261 (2024)
Process-in-memory (PIM) is an emerging computing paradigm to overcome the energy bottleneck inherent in conventional computing platform. While PIM utilizes several types of memory elements, SRAM based PIM has been researched extensively for its high
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c64f90fed6c24aaabfd8c354ae0f93e2
Autor:
Jebamalar Leavline, Sugantha A.
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 5, Iss , Pp 100065- (2023)
Sense amplifiers (SA) play a vital role in supporting the read performance of static random-access memory (SRAM). Single ended SRAM has attracted importance due to low leakage current and absence of time margin compared to differential SA. This paper
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5d13ae6247de4024b60973a070c1ff2c
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 9, Iss 2, Pp 168-175 (2023)
Devices using emerging technologies and materials with the potential to outperform their silicon counterpart are actively explored in search of ways to extend Moore’s law. Among these technologies, low dimensional channel materials (LDMs) devices,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b68f605d55874eb39931d4d0d6ed71e9
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 97682-97688 (2023)
In this work, the effect of displacement defect (DD) owing to cosmic rays on six-transistor (6T) static random access memory (SRAM) with a 3 nm node nanosheet field-effect transistor (NSFET) is investigated using technology computer-aided design (TCA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cefa3d3bcba4d04bbd2f873e88403cf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the XXth Conference of Open Innovations Association FRUCT, Vol 31, Iss 1, Pp 289-295 (2022)
This brief introduces the solutions for different design issues in a 6T static random-access memory (SRAM) cell. In this paper an overview of conventional 6T SRAM cell and its limitations are discussed. Then there is a brief discourse for SRAM cell d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/69e0354b74194d3388a0bed17d7ee608