Zobrazeno 1 - 10
of 11 861
pro vyhledávání: '"Static Random Access Memory (SRAM)"'
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2023 IEEE Devices for Integrated Circuit (DevIC).
Autor:
Minji Bang, Jonghyeon Ha, Minki Suh, Dabok Lee, Minsang Ryu, Jin-Woo Han, Hyunchul Sagong, Hojoon Lee, Jungsik Kim
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 130347-130355 (2024)
The effects of single event upset (SEU) by alpha particles and heavy ions on the data flip of a 3 nm technology node gate-all-around (GAA) nanosheet field-effect transistor (NSFET) 6T static random-access memory (SRAM) cell was studied through techno
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c729c86dcf4b40dd8aafed6967dcc577
Autor:
K. Padmapriya, Sajjade Faisal Mustafa, Rahul Anilkumar, Shivani Prasad Bondapalli, Debjyoti Mallik, B. K. S. V. L. Varaprasad
Publikováno v:
2021 Fourth International Conference on Electrical, Computer and Communication Technologies (ICECCT).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Vol 5, Pp 328-340 (2024)
This paper proposes a novel 8T-SRAM based computing-in-memory (CIM) accelerator for the Binary/Ternary neural networks. The proposed split dual-port 8T-SRAM cell has two input ports, simultaneously performing two binary multiply-and-accumulate (MAC)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/55a638030cfb438b9833212a4b3c09e4
Autor:
Keun-Yong Chung, Honggu Kim, Yerim An, Kiho Seong, Dong-Hyun Shin, Kwang-Hyun Baek, Yong Shim
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 24254-24261 (2024)
Process-in-memory (PIM) is an emerging computing paradigm to overcome the energy bottleneck inherent in conventional computing platform. While PIM utilizes several types of memory elements, SRAM based PIM has been researched extensively for its high
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c64f90fed6c24aaabfd8c354ae0f93e2
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.