Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"State-Gate"'
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 9, p 4314 (2023)
The performance of an active-quenching single-photon avalanche diode (SPAD) array that is based on the tri-state gates of a field programmable gate array (FPGA) is presented. The array is implemented by stacking a bare 4 × 4 N-on-P SPAD array on a b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bc1afc7ee7c04b0ab1db2edc95f2e052
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 10, p 2628 (2020)
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49250c68f0514e8baa27d6c83c011ca6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ingeniare. Revista chilena de ingeniería v.28 n.3 2020
SciELO Chile
CONICYT Chile
instacron:CONICYT
SciELO Chile
CONICYT Chile
instacron:CONICYT
espanolSe realizo un estudio cuyo objetivo fue proponer una herramienta para medir y evaluar el proceso de desarrollo de nuevos productos, basado en fundamentos teoricos como State-Gate y Balanced Scorecard. Para su construccion, se siguieron 4 fases
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bda3d408ed957c08db372c7ca01e1a59
https://doi.org/10.4067/s0718-33052020000300434
https://doi.org/10.4067/s0718-33052020000300434
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 2628, p 2628 (2020)
Energies; Volume 13; Issue 10; Pages: 2628
Energies; Volume 13; Issue 10; Pages: 2628
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::442368a2cce3cf50a9d3a52bcb95eff6
https://www.mdpi.com/1996-1073/13/10/2628
https://www.mdpi.com/1996-1073/13/10/2628
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.