Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Stanetska, A.S."'
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2021 35 Part 4:558-562
Autor:
Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.
Publikováno v:
Functional materials. 24:654-659
The mechanism and kinetics of chemical dissolution of InAs, InSb, GaAs and GaSb in (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-C₄H₆O₆ etching mixtures have been studied. Influence of tartaric acid on the parameters of chemical-dynamic polishing and morphology of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e7192d9f70c3683390cc73e7090f0070
https://doi.org/10.15407/fm24.04.654
https://doi.org/10.15407/fm24.04.654
Autor:
Levchenko, I.V., Tomashyk, V.M., Stratiychuk, I.B., Malanych, G.P., Stanetska, A.S., Korchovyi, A.A.
The chemical dissolution of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals in (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-C₆H₈O₇ etching solutions has been investigated. The dissolution rate of the semiconductor materials has been measured as a function of etchant composition
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::6018a96cc67b2a83b1336e0fe94dca5d
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/154462
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/154462
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.