Zobrazeno 1 - 10 of 14 pro vyhledávání: '"Stanchina, W. E."'
1
Akademický článek
Numerical and experimental studies of the intrinsic performance of AlInAs/GaInAs heterojunction bipolar transistors.
Autor: King, H.-X. L., Woo, J. C.-S., Jensen, J. F., Stanchina, W. E., Ferro, R. J., Metzger, R. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1991, Vol. 69 Issue 8, p4426, 5p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Measurement of the Electron Ionization Coefficient Temperature Dependence in InGaAs-based Heterojunction Bipolar Transistors.
Autor: Meneghesso, G., Neviani, A., Parisotto, R., Vendrame, L., Hafizi, M., Stanchina, W. E., Canali, C., Zanoni, E.
Publikováno v: ESSDERC '96: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference; 1996, p447-450, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Design and performance of a calcia-stabilized zirconia electrolytic cell as a monitor for small amounts of H2O in H2 streams.
Autor: Stanchina, W. E., Whelan, J. M.
Publikováno v: Review of Scientific Instruments; Jul1985, Vol. 56 Issue 7, p1448, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Monolithic integration of resonant tunneling diodes and heterojunction bipolar transistors on patterned InP substrates.
Autor: Chow, D. H., Hafizi, M., Stanchina, W. E., Roth, J. A., Zinck, J. J., Dubray, J.-J., Dunlap, H. L.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1998, Vol. 16 Issue 3, p1413-1416, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Be diffusion at the emitter-base junction of graded AlInAs/GaInAs heterojunction bipolar transistors.
Autor: Metzger, R. A., Hafizi, M., Wilson, R. G., Stanchina, W. E., Jensen, J. F., McCray, L. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 6, p2347-2350, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Control of Be diffusion in AlInAs/GaInAs heterostructure bipolar transistors through use of low-temperature GaInAs.
Autor: Metzger, R. A., Liu, T., Stanchina, W. E., Wilson, R. G., Jensen, J. F., McCray, L. G., Pierce, M. W., Kargodorian, T. V., Allen, Y. K., Lou, P. F., Mishra, U. K.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 2, p859-862, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje