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Charge Storage and Reliability Characteristics of Nonvolatile Memory Capacitors with HfO 2 /Al 2 O 3 -Based Charge Trapping Layers.

Autor: Spassov, Dencho, Paskaleva, Albena, Guziewicz, Elżbieta, Wozniak, Wojciech, Stanchev, Todor, Ivanov, Tsvetan, Wojewoda-Budka, Joanna, Janusz-Skuza, Marta

Publikováno v: Materials (1996-1944); Sep2022, Vol. 15 Issue 18, p6285-N.PAG, 15p

Etude d'un système de refroidissement basé sur l'utilisation d'une pompe électro-osmotique

Autor: Berrouche, Youcef, Avenas, Yvan, Stanchev, Todor

Publikováno v: EPF 2008 XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur
EPF 2008 XIIème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2008, Tours, France. pp.183-188

National audience; le refroidissement de l'électronique de puissance se caractérise souvent par de très hautes densités de flux de chaleur à évacuer. Il est donc nécessaire d'utiliser des solutions d'extraction de la chaleur adaptées : convec

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