Zobrazeno 1 - 10
of 115
pro vyhledávání: '"Stain etching"'
Autor:
H. Mhamdi, K. Azaiez, T. Fiorido, R. Benabderrahmane Zaghouani, J.L. Lazzari, M. Bendahan, W. Dimassi
Publikováno v:
Inorganic Chemistry Communications
Inorganic Chemistry Communications, 2022, 139, pp.109325. ⟨10.1016/j.inoche.2022.109325⟩
Inorganic Chemistry Communications, 2022, 139, pp.109325. ⟨10.1016/j.inoche.2022.109325⟩
International audience; In this work, we investigate the use of a new low-cost gas sensor based on porous silicon to detect low concentration of NO2 at room temperature. In this work, we focused on the gas sensing properties of two different types of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c20377e3e6d200ded8dd0bfe7d809ef9
https://hal.science/hal-03628473
https://hal.science/hal-03628473
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Synthesis of Architectural-Cubic Porous Silicon by Electroless Stain Etching in V2O5 and HF Solution
Publikováno v:
Silicon. 12:1761-1768
Porous silicon (PSi) samples were prepared via electroless stain etching of silicon substrates in HF using V2O5 as an oxidant and ethanol as a surfactant for different etching times. The effects of etching time, the use of ethanol in the etchant as a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d6f3df8bfeeb8e2672ea5655120cb978
https://doi.org/10.1007/s12633-019-00265-8
https://doi.org/10.1007/s12633-019-00265-8
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 45:145-148
Defects in the semiconductor structure of a photovoltaic converter (PVC) with a p–n junction and antireflection film of porous silicon manufactured using chemical stain etching were studied by the current deep-level transient spectroscopy technique
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::031780bb7979b74aa9860a50eab59ba8
https://doi.org/10.1134/s1063785019020342
https://doi.org/10.1134/s1063785019020342
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gyula Károlyházy, Adam Gali, Olga H. Krafcsik, Katalin Kamarás, Dóra Zalka, Sándor Lenk, David Beke
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 10, Iss 3, p 538 (2020)
Nanomaterials
Volume 10
Issue 3
Nanomaterials
Volume 10
Issue 3
In this article, we report an electroless method to fabricate porous hexagonal silicon carbide and hexagonal silicon carbide nanoparticles (NPs) as small as 1 nm using wet chemical stain etching. We observe quantum confinement effect for ultrasmall h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::98887a12633156c8d1a8e08e01486972
https://www.mdpi.com/2079-4991/10/3/538
https://www.mdpi.com/2079-4991/10/3/538
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry C. 122:21537-21542
Metal-assisted chemical etching (MACE) is a facile process to produce mesoporous silicon compared with conventional stain etching and electrochemical etching. However, less work focuses on the MACE...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a500a4b6c6b79ed5110072ae506cc84a
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b07785
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b07785
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.