Zobrazeno 1 - 10
of 363
pro vyhledávání: '"Stach E"'
Autor:
Kuijpers, Stach E. J., Kalaitzis, Panagiotis, Sakkoula, Evangelia, van de Meerakker, Sebastiaan Y. T., Softley, Timothy P., Parker, David H.
In molecular beam scattering experiments, an important technique for measuring product energy and angular distributions is velocity map imaging following photoionization. For studies with cold molecular beams, the resolution is often limited by the p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2412.02330
Autor:
Kuijpers, Stach E. J., van Roij, André J. A., Sweers, Edwin, Herbers, Sven, Caris, Youp M., van de Meerakker, Sebastiaan Y. T.
In low-energy collisions between two dipolar molecules, the long-range dipole-dipole interaction plays an important role in the scattering dynamics. Merged beam configurations offer the lowest collision energies achievable, but they generally can not
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.13009
Autor:
Izhar, Fiagbenu, M. M. A., Yao, S., Du, X., Musavigharavi, P., Deng, Y., Leathersich, J., Moe, C., Kochhar, A., Stach, E. A., Vetury, R., Olsson III, R. H.
Bulk Acoustic Wave (BAW) filters find applications in radio frequency (RF) communication systems for Wi-Fi, 3G, 4G, and 5G networks. In the beyond-5G (potential 6G) era, high frequency bands (>8 GHz) are expected to require resonators with high-quali
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.15431
Autor:
Kuijpers, Stach E. J., Kalaitzis, Panagiotis, Sakkoula, Evangelia, van de Meerakker, Sebastiaan Y. T., Softley, Timothy P., Parker, David H.
Publikováno v:
Journal of Physical Chemistry A; 12/26/2024, Vol. 128 Issue 51, p10993-11004, 12p
Autor:
Kuijpers, Stach E. J., Kalaitzis, Panagiotis, Sakkoula, Evangelia, van de Meerakker, Sebastiaan Y. T., Softley, Timothy P., Parker, David H.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part A; December 2024, Vol. 128 Issue: 51 p10993-11004, 12p
Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) is used to characterize an amorphous layer observed at the interface in graphite and graphene films grown via thermal decomposition of C-face 4H-SiC. The amorphous layer does not to cover the ent
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1105.2057
Autor:
Steinke, L., Cantwell, P., Zakharov, D., Stach, E., Zaluzec, N. J., Morral, A. Fontcuberta i, Bichler, M., Abstreiter, G., Grayson, M.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 93, 193117, (2008)
A corner-overgrown GaAs/AlGaAs heterostructure is investigated with transmission and scanning transmission electron microscopy, demonstrating self-limiting growth of an extremely sharp corner profile of 3.5 nm width. In the AlGaAs layers we observe s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0803.3986
Publikováno v:
Science, 2004 Jul . 305(5684), 654-657.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/3837362
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.