Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"St. Joksch"'
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 63:907-910
We present a series of x‐ray reflectivity measurements performed on annealed Czochralski grown silicon (ACS) crystals in the energy range E
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 63:496-500
Present‐day synchrotron x‐ray beams are very demanding in terms of thermal, mechanical, and radiation stability of any optical element to be inserted in the beam. A set of multilayers was recently exposed and could resist to an x‐ray power dens
Autor:
H. Kawata, St. Joksch, G. Marot, Jerome B. Hastings, L. E. Berman, Andreas K. Freund, E. Ziegler
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 63:442-445
In this paper x‐ray diffraction tests of very thin silicon single crystals exposed to a wiggler beam that can generate a power density up to 200 W/mm2 are reported on. This beam was provided by the beamline X25 at NSLS, where 75 W total power are f
Autor:
M. Rossat, G. Marot, Dean Chapman, M. Iarocci, St. Joksch, E. Ziegler, Lin Zhang, Andreas K. Freund, L. E. Berman, Jerome B. Hastings, H. Kawata
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 63:477-480
In this paper, we report on the design and x‐ray diffraction properties of cryocooled silicon single crystals exposed to the following wiggler beams: power density: 150 W/mm2, total power: 75 W and power density: 0.5 W/mm2, total power: 100 W. Firs
Autor:
H. Kawata, Jerome B. Hastings, G. Marot, St. Joksch, L. E. Berman, Andreas K. Freund, E. Ziegler
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 63:446-449
High quality beryllium single crystals are currently proposed for several applications in synchrotron radiation x‐ray optics, in particular as the first element which will have to take the high power of the beam generated by insertion devices. Be h
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 69:168-174
The effect of thermal annealing and irradiation in an intense white synchrotron x‐ray beam on the x‐ray reflectance of tungsten/carbon and tungsten/silicon multilayers is reported. Thermal annealing at 400 °C for two hours produces larger effect
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.