Výsledky vyhledávání - "Spruytte, S. G."

Akademický článek

Origin and annealing of deep-level defects in p-type GaAs/Ga(As,N)/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy.

Autor: Krispin, P., Spruytte, S. G., Harris, J. S., Ploog, K. H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/2001, Vol. 89 Issue 11, p6294, 8p, 2 Charts, 8 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Group III nitride-arsenide long wavelength lasers grown by elemental source molecular beam epitaxy.

Autor: Coldren, C. W., Spruytte, S. G., Harris, J. S., Larson, M. C.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 2000, Vol. 18 Issue 3, p1480-1483, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Nitrogen incorporation in group III-nitride-arsenide materials grown by elemental source molecular beam epitaxy

Autor: Spruytte, S. G., Larson, M. C., Wampler, W., Coldren, C. W., Petersen, H. E., Harris, J. S.

Publikováno v: Journal of Crystal Growth; July 2001, Vol. 227 Issue: 1 p506-515, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Deep-level defects in MBE-grown Ga(As,N) layers

Autor: Krispin, P., Spruytte, S. G., Harris, J. S., Ploog, K. H.

Publikováno v: Physica B: Condensed Matter; 2001, Vol. 308 Issue: 1 p870-873, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Electron traps in Ga(As,N) layers grown by molecular-beam epitaxy.

Autor: Krispin, P., Spruytte, S. G., Harris, J. S., Ploog, K. H.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/25/2002, Vol. 80 Issue 12, p2120, 3p, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Admittance dispersion of n-type GaAs/Ga(As, N)/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy.

Autor: Krispin, P., Spruytte, S. G., Harris, J. S., Ploog, K. H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/2001, Vol. 90 Issue 5, 6 Graphs

Zobrazit plný text záznamu