Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Spivey, Robert F."'
Autor:
Jia, Zhubing, Huang, Shilin, Kang, Mingyu, Sun, Ke, Spivey, Robert F., Kim, Jungsang, Brown, Kenneth R.
In trapped-ion quantum computers, two-qubit entangling gates are generated by applying spin-dependent force which uses phonons to mediate interaction between the internal states of the ions. To maintain high-fidelity two-qubit gates under fluctuating
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.04814
Autor:
Spivey, Robert F., Inlek, Ismail V., Jia, Zhubing, Crain, Stephen, Sun, Ke, Kim, Junki, Vrijsen, Geert, Fang, Chao, Fitzgerald, Colin, Kross, Steffen, Noel, Tom, Kim, Jungsang
Cryogenic environments benefit ion trapping experiments by offering lower motional heating rates, collision energies, and an ultra-high vacuum (UHV) environment for maintaining long ion chains for extended periods of time. Mechanical vibrations cause
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2108.05290
Publikováno v:
PLoS ONE 10(6): e0129804 (2015)
The matching hypothesis in social psychology claims that people are more likely to form a committed relationship with someone equally attractive. Previous works on stochastic models of human mate choice process indicate that patterns supporting the m
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.00029
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 July 2013 540:173-182
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Development of 3D Monte Carlo simulations for predicting multilayer geometry of pit-type EUV defects
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2013, Vol. 8679 Issue: 1 p86791W-86791W-9, 781129p