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pro vyhledávání: '"Spectroscopie de photoélectrons X"'
Autor:
Bou Tannous, Layla
Publikováno v:
Matériaux. Ecole normale supérieure de lyon-ENS LYON, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ENSL0020⟩
The purpose of this thesis is to study the interfaces between ionic liquids (IL) and two-dimensional (2D) semiconductor materials, in particular molybdenum disulfide (MoS2), with a view of designing novel electronic devices using ionic liquids-gated
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0043ea89bc2190e4077b3fd8595b70f5
https://theses.hal.science/tel-04166432/document
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Autor:
M. Souici, A. Roustila
Publikováno v:
Revue des Énergies Renouvelables, Vol 12, Iss 3, Pp 513 – 521-513 – 521 (2009)
Le stockage de l’hydrogène peut se faire par l’application de nombreuses techniques. Parmi lesquelles la méthode qui consiste à stocker l’hydrogène dans les métaux en formant des hydrures métalliques. Les alliages de nickel ont des applic
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https://doaj.org/article/91ea9a0edb234ea89ba106118412c316
Autor:
Carenco, Sophie
Publikováno v:
L'Actualité Chimique
L'Actualité Chimique, Société chimique de France, 2016, 408-409, pp.93-96
L'Actualité Chimique, 2016, 408-409, pp.93-96
L'Actualité Chimique, Société chimique de France, 2016, 408-409, pp.93-96
L'Actualité Chimique, 2016, 408-409, pp.93-96
International audience; At the macroscale, appearances can be deceptive : when exposed to gas, the surface of a metal is actually able to reconstruct. This remains true for nanoparticles used in a catalytic process, though a nanoparticle contains but
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::f255d4814484d5780a333a9cbe9eabb6
https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-01495236
https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-01495236
Autor:
Chhor, Sarine
Cette thèse se positionne dans le domaine des batteries lithium-ion. Elle a pourobjectif de mieux comprendre le fonctionnement de l’électrode négative de graphiteen étudiant le processus de formation du film de passivation, couramment appeléSE
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http://www.theses.fr/2014GRENI067/document
Autor:
Bierla, Aleksandra
De nombreuses opérations d'usinage nécessitent la présence d'un fluide de coupe afin d'en assurer le succès du fait de la sévérité des sollicitations que subit l'outil. Le but de l'étude est d'identifier les performances de divers additifs so
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http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005599
http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/13/29/PDF/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/13/29/PDF/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
Autor:
Bierla, Aleksandra
Publikováno v:
Sciences de l'ingénieur [physics]. Arts et Métiers ParisTech, 2009. Français. ⟨NNT : 2009ENAM0022⟩
Most machining operations require the presence of a cutting fluid in order to ensure its success due to the intensity of thermal and mechanical conditions. The objective of this study is to identify and compare the performance of various sulphur addi
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3f124a0ec76baf429f77d234962978bf
https://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005599/file/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
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Autor:
Merckling, Clément
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l'apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L'épaisseur requi
Autor:
Merckling, Clément
Publikováno v:
Matière Condensée [cond-mat]. Ecole Centrale de Lyon, 2007. Français
Metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are at the very heart of modern integrated circuits (IC's). A fundamental limit of the downscaling of these devices is in view, concerning the exponential increase in the tunneling current
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6028d97ff93437dc976d9234331fee44
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00201791/document
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Ce travail de thèse s'inscrit dans le cadre des recherches avancées pour l'élaboration de la grille en silicium amorphe, pour les applications CMOS sub-0,1 µm. Cette étude a été menée sur la plate-forme de gravure du CNET, équipée de diffé
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http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00009026
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/79/69/PDF/tel-00009026.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/79/69/PDF/tel-00009026.pdf
Publikováno v:
Physique [physics]. Institut National Polytechnique de Grenoble-INPG, 2000. Français
This work focuses on plasma patterning of sub-0.1 µm amorphous silicon gate for CMOS applications. We have performed this study in a high-density plasma Helicon source equipped with diagnostic tools allowing a real time monitoring of the etching pro
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2f45776704e7025486f2286b8c0fbef2
https://theses.hal.science/tel-00009026
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