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pro vyhledávání: '"Spectroscopie de Photoélectrons X (XPS)"'
Autor:
M. Souici, A. Roustila
Publikováno v:
Revue des Énergies Renouvelables, Vol 12, Iss 3, Pp 513 – 521-513 – 521 (2009)
Le stockage de l’hydrogène peut se faire par l’application de nombreuses techniques. Parmi lesquelles la méthode qui consiste à stocker l’hydrogène dans les métaux en formant des hydrures métalliques. Les alliages de nickel ont des applic
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https://doaj.org/article/91ea9a0edb234ea89ba106118412c316
Autor:
Chhor, Sarine
Cette thèse se positionne dans le domaine des batteries lithium-ion. Elle a pourobjectif de mieux comprendre le fonctionnement de l’électrode négative de graphiteen étudiant le processus de formation du film de passivation, couramment appeléSE
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2014GRENI067/document
Autor:
Bierla, Aleksandra
De nombreuses opérations d'usinage nécessitent la présence d'un fluide de coupe afin d'en assurer le succès du fait de la sévérité des sollicitations que subit l'outil. Le but de l'étude est d'identifier les performances de divers additifs so
Externí odkaz:
http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005599
http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/13/29/PDF/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/13/29/PDF/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
Autor:
Bierla, Aleksandra
Publikováno v:
Sciences de l'ingénieur [physics]. Arts et Métiers ParisTech, 2009. Français. ⟨NNT : 2009ENAM0022⟩
Most machining operations require the presence of a cutting fluid in order to ensure its success due to the intensity of thermal and mechanical conditions. The objective of this study is to identify and compare the performance of various sulphur addi
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3f124a0ec76baf429f77d234962978bf
https://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005599/file/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
https://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00005599/file/Memoire_de_these_BIERLA.pdf
Autor:
Merckling, Clément
La miniaturisation depuis 50 ans des composants, transistors MOSFET à base de silicium, dans les technologies CMOS est de plus en plus limité par l'apparition de phénomènes quantiques dans les dispositifs de taille sub-0,1 µm. L'épaisseur requi
Autor:
Merckling, Clément
Publikováno v:
Matière Condensée [cond-mat]. Ecole Centrale de Lyon, 2007. Français
Metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are at the very heart of modern integrated circuits (IC's). A fundamental limit of the downscaling of these devices is in view, concerning the exponential increase in the tunneling current
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6028d97ff93437dc976d9234331fee44
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00201791/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00201791/document