Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"Spankova, M."'
The evolution of the structural and transport properties of underdoped La$_{1.952}$Sr$_{0.048}$CuO$_4$ thin films under compressive epitaxial strain has been studied. The films of different thicknesses $d$ (from 26 nm to 120 nm) were deposited using
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1912.04594
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 30 March 2021 543
Autor:
Plecenik, T., Tomasek, M., Belogolovskii, M., Truchly, M., Gregor, M., Noskovic, J., Zahoran, M., Roch, T., Boylo, I., Spankova, M., Chromik, S., Kus, P., Plecenik, A.
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 111, 056106 (2012)
Resistance switching effects in metal/perovskite contacts based on epitaxial c-axis oriented Y-Ba-Cu-O (YBCO) thin films with different crystallographic orientations have been studied. Three types of Ag/YBCO junctions with the contact restricted to (
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1204.2598
Autor:
Plecenik, A., Tomasek, M., Plecenik, T., Truchly, M., Noskovic, J., Zahoran, M., Roch, T., Belogolovskii, M., Spankova, M., Chromik, S., Kus, P.
Publikováno v:
Applied Surface Science 256 (2010) 5684-5687
Current-voltage characteristics of planar junctions formed by an epitaxial c-axis oriented YBa2Cu3O7-x thin film micro-bridge and Ag counter-electrode were measured in the temperature range from 4.2 K to 300 K. A hysteretic behavior related to switch
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1004.3909
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 December 2018 461:39-43
Autor:
Chromik, S., Huran, J., Strbik, V., Spankova, M., Vavra, I., Bohne, W., Rohrich, J., Strub, E., Kovac, P., Stancek, S.
MgB2 thin films were deposited on SiC buffered Si substrates by sequential electron beam evaporation of B-Mg bilayer followed by in-situ annealing. The application of a SiC buffer layer enables the maximum annealing temperature of 830 C. The Transmis
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0507519
Autor:
Chromik, S., Gazi, S., Strbik, V., Spankova, M., Vavra, I., Satrapinsky, L., Benacka, S., van der Beek, C. J., Gierlowski, P.
We introduce a simple method of an MgB2 film preparation using sequential electron-beam evaporation of B-Mg two-layer (followed by in-situ annealing) on the NbN buffered Si(100) substrate. The Transmission Electron Microscopy analyses confirm a growt
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0401569
Autor:
Štrbík, V., Beňačka, Š., Gaži, Š., Španková, M., Šmatko, V., Knoška, J., Gál, N., Chromik, Š., Sojková, M., Pisarčík, M.
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 February 2017 395:237-240