Zobrazeno 1 - 10 of 40 pro vyhledávání: '"Spahn, W."'
1
Akademický článek
Mechanisms of molecular beam epitaxial growth of (001) HgTe.
Autor: Oehling, S., Ehinger, M., Spahn, W., Waag, A., Becker, C. R., Landwehr, G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1996, Vol. 79 Issue 2, p748, 4p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Non-metal in situ and ex situ ohmic contacts to n-ZnSe.
Autor: Schüll, K, Spahn, W, Hock, V, Lunz, U, Ehinger, M, Faschinger, W, Landwehr, G
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; 1997, Vol. 12 Issue 4, p485-489, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Application of Wide Gap II-VI Compounds as Emitters and Detectors.
Autor: Faschinger, W., Spahn, W., Nürnberger, J., Gerhard, A., Korn, M., Schüll, K., Albert, D., Ress, H., Ebel, R., Schmitt, R., Olszowi, B., Ehinger, M., Landwehr, G.
Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Aug1997, Vol. 202 Issue 2, p695-706, 12p
Zobrazit plný text záznamu
5
Periodical
The growth start on the heterovalent GaAsZnSe interface under Te, Se and Zn termination
Autor: Spahn, W., Ress, H.R., Schüll, K., Ehinger, M., Hommel, D., Landwehr, G.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; February 1996, Vol. 159 Issue: 1-4 p761-765, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Periodical
Start of misfit relaxation in GaAs&z.sbnd;ZnSe heterostructures
Autor: Reß, H.R., Spahn, W., Ebel, R., Nu¨rnberger, J., Keller, M., Scha¨fer, H., Korn, M., Ehinger, M., Faschinger, W., Landwehr, G.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 184 Issue: 1 p90-94, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
An ab initio study of Se-reacted GaAs(0 0 1) surfaces
Autor: Gundel, S., Spahn, W., Faschinger, W., Landwehr, G.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 184 Issue: 1 p80-84, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
Start of misfit relaxation in GaAs-ZnSe heterostructures
Autor: Ress, H. R., Spahn, W., Ebel, R., Nuernberger, J., Keller, M., Schaefer, H., Korn, M., Ehinger, M., Faschinger, W., Landwehr, G.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 184 Issue: 1 p90-94, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
An ab initio study of Se-reacted GaAs(001) surfaces
Autor: Gundel, S., Spahn, W., Faschinger, W., Landwehr, G.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 184 Issue: 1 p80-84, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje