Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Soussan, Dimitri"'
Autor:
Soussan, Dimitri
Des spécificités de la technologie SOI partiellement désertée (PD-SOI), comme son gain en vitesse, et l'isolation diélectrique des transistors, sont intéressantes pour la conception d'interfaces entrées/sorties. Toutefois, l'emploi de cette te
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013GRENT017/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Abouzeid, Fady, Clerc, Sylvain, Bottoni, Cyril, Coeffic, Benjamin, Daveau, Jean-Marc, Croain, Damien, Gasiot, Gilles, Soussan, Dimitri, Roche, Philippe
Publikováno v:
ESSCIRC Conference 2015 - 41st European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC); 2015, p108-111, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2012 IEEE International Conference on IC Design & Technology; 1/ 1/2012, p1-4, 4p
Autor:
Clerc, Sylvain, Abouzeid, Fady, Gasiot, Gilles, Gauthier, David, Soussan, Dimitri, Roche, Philippe
Publikováno v:
2012 IEEE International Conference on IC Design & Technology; 1/ 1/2012, p1-4, 4p
Autor:
Clerc, Sylvain, Saligane, Mehdi, Abouzeid, Fady, Cochet, Martin, Daveau, Jean-Marc, Bottoni, Cyril, Bol, David, De-Vos, Julien, Zamora, Dominique, Coeffic, Benjamin, Soussan, Dimitri, Croain, Damien, Naceur, Mehdi, Schamberger, Pierre, Roche, Philippe, Sylvester, Dennis
Publikováno v:
2015 IEEE International Solid-State Circuits Conference - (ISSCC) Digest of Technical Papers; 2015, p1-3, 3p