Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Souliere, Veronique"'
Autor:
Zhang, Jingyuan Linda, Ishiwata, Hitoshi, Babinec, Thomas M., Radulaski, Marina, Müller, Kai, Lagoudakis, Konstantinos G., Dory, Constantin, Dahl, Jeremy, Edgington, Robert, Soulière, Veronique, Ferro, Gabriel, Fokin, Andrey A., Schreiner, Peter R., Shen, Zhi-Xun, Melosh, Nicholas A., Vučković, Jelena
We demonstrate a new approach for engineering group IV semiconductor-based quantum photonic structures containing negatively charged silicon-vacancy (SiV$^-$) color centers in diamond as quantum emitters. Hybrid SiC/diamond structures are realized by
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.01617
Autor:
Alassaad, Kassem, Soulière, Véronique, Cauwet, François, Peyre, Hervé, Carole, Davy, Kwasnicki, Pawel, Juillaguet, Sandrine, Kups, Thomas, Pezoldt, Jörg, Ferro, Gabriel
Publikováno v:
Acta Materialia 75 (2014) 219-226
In this work, we report on the addition of GeH4 gas during homoepitaxial growth of 4H-SiC by chemical vapour deposition. Ge introduction does not affect dramatically the surface morphology and defect density though it is accompanied with Ge droplets
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.3222
Autor:
Berckmans, Stéphane, Auvray, Laurent, Ferro, Gabriel, Cauwet, François, Soulière, Véronique, Collard, Emmanuel, Brylinski, Christian
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 September 2012 354(1):119-128
Autor:
Younes, Ghassan, Ferro, Gabriel, Soueidan, Maher, Brioude, Arnaud, Souliere, Veronique, Cauwet, François
Publikováno v:
In Thin Solid Films 31 January 2012 520(7):2424-2428
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 March 2011 318(1):397-400
Autor:
Lorenzzi, Jean, Souliere, Veronique, Carole, Davy, Jegenyes, Nikoletta, Kim-Hak, Olivier, Cauwet, François, Ferro, Gabriel
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2011 20(5):808-813
Autor:
Soueidan, Maher, Ferro, Gabriel, Nsouli, Bilal, Roumié, Mohamad, Habka, Nada, Souliere, Véronique, Bluet, Jean-Marie, Kazan, Michel
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2011 327(1):46-51
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. 897:87-90
Silicon deposition on 3C-SiC seeds was studied as a function of seed orientations and thicknesses. The 3C-SiC seeds were grown on silicon substrates of (100), (110), (111) and (211) orientations by standard two-step CVD (low temperature carbonization
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5fc25a3022adeca2a6958ffa8428de8c
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.87
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.87
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.