Zobrazeno 1 - 10
of 260
pro vyhledávání: '"Sorée B"'
Autor:
Devolder, T., Bultynck, O., Bouquin, P., Nguyen, V. D., Rao, S., Wan, D., Sorée, B., Radu, I. P., Kar, G. S., Couet, S.
We analyse the phenomenon of back-hopping in spin-torque induced switching of the magnetization in perpendicularly magnetized tunnel junctions. The analysis is based on single-shot time-resolved conductance measurements of the pulse-induced back-hopp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.05108
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wegrowe, Jean-Eric, Friedman, Joseph S., Razeghi, Manijeh, Jaffrès, Henri, Vermeulen, B. B., Raymenants, E., Canvel, Y., Chatterjee, J., Sorée, B., Wostyn, K., Couet, S., Temst, K., Nguyen, V. D.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; October 2024, Vol. 13119 Issue: 1 p131190H-131190H-7, 1180718p
Autor:
Croitoru, M. D., Gladilin, V. N., Fomin, V. M., Devreese, J. T., Magnus, W., Schoenmaker, W., Soree, B.
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 93, 1230 (2003)
An approach is developed for the determination of the current flowing through a nanosize silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET). The quantum mechanical features of the electron transport are extracted f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0308485
Autor:
Balaban, S. N., Pokatilov, E. P., Fomin, V. M., Gladilin, V. N., Devreese, J. T., Magnus, W., Schoenmaker, W., Van Rossum, M., Soree, B.
A model is developed for a detailed investigation of the current flowing through a cylindrical nanosize MOSFET with a close gate electrode. The quantum mechanical features of the lateral charge transport are described by Wigner distribution function
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0004009
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering July 2013 107:219-222
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.